高品質SiCバルク単結晶の成長

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概要

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ワイドギャップ半導体として知られているSiCやGaNはパワーデバイスや高周波デバイスへの応用が期待されている。この基板としてSiCが注目されており、高品質なSiC基板の作製が望まれている。しかし、SiCバルク単結晶は通常2200〜2400℃という高い温度で昇華法を用いて作られるため、高品質なSiC基板の作製は難しいのが現状である。本研究では、結晶成長のプロセスを検討することにより、成長条件の最適化を図り、MPDが50cm^<-2>以下の2インチ6H-SiC基盤を作製した。この条件で再現性も確保され、量産化も可能となった。得られた基板について、結晶学的、電気的、光学的に評価を行ったので、これも併せて報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-10-13

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