CAICISSによる6H-Sic(0001)面の最表面原子層の決定
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本表面科学会の論文
- 1996-08-10
著者
-
大谷 文彦
島津製作所基盤技術研究所
-
西野 茂
京都工芸繊維大学工芸学部
-
篠原 真
島津製作所 表面・半導体機器部
-
西原 隆治
島津製作所 表面・半導体機器部
-
更家 淳司
京都工芸繊維大学工芸学部
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学・工芸
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻
-
篠原 真
島津製作所
-
石山 修
島津製作所基盤技術研究所
-
西野 茂弘
京都工業繊維大学工芸学部
-
更家 淳司
京都工業繊維大学工芸学部
-
更家 淳司
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
関連論文
- CAICISS(同軸型直衝突イオン散乱分光法)を用いた単結晶の最表面原子層制御
- カソードルミネッセンス顕微鏡によるSiC単結晶中の欠陥観察
- 直流プラズマ化学気相堆積法による配向カーボンナノチューブの低温成長
- 電子放出源のためのSiC被膜付き柱状Siの微細加工及びデバイス応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 直流プラズマ化学気相堆積法によるカーボンナノチューブの成長とその電界電子放出特性
- 表面波励起マイクロ波プラズマによる大面積基板への配向カーボンナノチューブの作製
- 低誘電率層間絶縁膜のプラズマ化学気相堆積
- HMDSO添加のフロロカーボンプラズマを用いた低誘電率絶縁膜のCVD
- Si(NCO)_4添加のフロロカーボンプラズマを用いた低誘電率絶縁膜のCVD
- GaN薄膜成長用基板結晶LiGaO_2の育成と評価 : バルク成長II
- 2p-D-9 ZnSxSe_ MBE薄膜のラマン散乱
- 3a-C-7 ZnSxSe1-x エピタキシャル薄膜のラマン散乱
- テトライソシアネートシランを用いたSiO:F膜のプラズマCVD
- 28a-WB-6 Asクラスタイオンビーム照射によりAs終端したSi(100)表面のCAICISSによる評価
- 28a-WB-5 Asクラスタイオンビーム照射によるSi(100)基板表面のクリーニング
- 高品質SiCバルク単結晶の成長
- 高品質SiCバルク単結晶の成長
- CAICISSによる6H-Sic(0001)面の最表面原子層の決定
- 同軸形直衝突イオン散乱分光装置(CAICISS)とその応用(平成8年度第1回関西支部研究例会の講演要旨)
- 直衝突イオン散乱シミュレ-ションプログラムCOSCATの開発--EWS用CAICISSソフトウェアの開発 (小特集 新素材・半導体の分析・試験)
- 極低温走査型光学顕微鏡によるワイドギャップ半導体のディープサブミクロンホトルミネセンス像
- 極低温走査型光学顕微鏡によるワイドギャップ半導体のディープサブミクロンホトルミネセンス像
- 有機金属分子線エピタキシャル法による可視発光半導体GaAsPのSi基板上成長(平成9年度第3回)関西支部研究例会の講演要旨
- 常圧CVDによるHMDSを用いたSi基板上への3C-SiCエピタキシャル成長(半導体Si及び関連電子材料評価)
- HMDSを使い成長させたSi基板上3C-SiCの深い準位の測定
- HMDSを使い成長させたSi基板上3C-SiCの深い準位の測定
- アモルファス半導体材料の特性と応用 (アモルファス材料の応用開発を探る)
- RF-MBE法によるInN/Siヘテロ接合の作製とバンドオフセットの測定
- RF-MBE法によるInN/Siヘテロ接合の作製とバンドオフセットの測定
- 有機液体原料を用いたリモートプラズマCVD法による低炭素濃度シリコン窒化膜の堆積
- II-VI族半導体量子ドットの作製と発光デバイスへの応用
- 表面波励起マイクロ波プラズマによる大面積基板への配向カーボンナノチューブの作製
- 有機液体原料を用いたラジカルビーム堆積法による低炭素濃度シリコン窒化膜の堆積(半導体エレクトロニクス)
- サブミクロン分解能を持つ極低温顕微ホトルミネセンス測定装置
- サブミクロン分解能を持つ極低温顕微ホトルミネセンス測定装置
- II-VI族半導体量子ドットの作製と発光デバイスへの応用
- CdTe Growth(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))