有機液体原料を用いたリモートプラズマCVD法による低炭素濃度シリコン窒化膜の堆積
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概要
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ヘキサメチルジシラザンと励起窒素原子の反応を用いたリモートプラズマCVD法により、基板温度200から800℃でSiN膜をSi上に堆積した。X線光電子分光(XPS)測定により求めた組成比N/Siは、基板温度が高くなるにつれ1.84から化学量論比に近い1.46に減少した。膜内炭素量はXPSの検出限界以下であった。また、基板温度が高いほど膜内水素は少なくなる。膜組成および膜内水素量の変化に対応して、基板温度300℃では屈折率が1.79、比誘電率が5.7であるのに対し、基板温度700℃でそれぞれ1.98、7.6と増加した。300℃で堆積したSiN膜は、SiH_4を用いたプラズマCVD法により堆積したものと同等の抵抗率を示した。
- 2002-12-13
著者
-
更家 淳司
京都工芸繊維大学工芸学部
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吉本 昌広
京都工芸繊維大学地域共同研究センタｰ
-
吉本 昌宏
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
吉本 昌広
京都工芸繊維大学
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更家 淳司
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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更家 淳司
京都工芸繊維大学 工芸学部 電子情報工学科
-
田口 貢士
(有)魁半導体
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田口 貢士
京都工芸繊維大学 工芸学部 電子情報工学科
-
吉本 昌広
京都工芸繊維大学大学院 電子システム工学部門
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