光励起によるGaAs_<1-x>Bi_x/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 : その発振波長の低温度依存性(奨励講演,半導体レーザ関連技術,及び一般)

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概要

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光励起によるGaAs_<0.975>Bi_<0.025>/GaAsファブリ・ペロー共振器付き薄膜からのレーザ発振を実現した。GaAs_<0.975>Bi_<0.025>活性層は分子線エピタキシー法で350℃の低温で成長した。160Kから240Kの範囲では、このレーザの特性温度は83Kであり、この温度範囲の発振ピークエネルギーの温度係数は-0.18meV/Kであった。これはGaAsの禁制帯幅の温度係数の40%である。240K以上では、このレーザのしきい値励起光強度密度は急に増加し、発振ピークエネルギーは高エネルギー側にシフトした。これらの現象は、大きな価電子帯オフセットとほぼ平坦な導電帯オフセットを有していると予想されるGaAs_<0.975>Bi_<0.025>/GaAsヘテロ界面におけるキャリアの振舞いによるものと考えられる。
2011-12-09

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