極低温走査型光学顕微鏡によるワイドギャップ半導体のディープサブミクロンホトルミネセンス像

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概要

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通常の光学系を用いた顕微ホトルミネセンス(PL)観測装置では、光プローブ顕微鏡に比べて分解能で劣るものの、高感度で良好なS/N比をもってPLを観測することができる。本研究では、大きな開口数をもつ高分解能対物レンズをクライオスタット内に装填した新しい顕微PL装置を開発し、波長488nmにおいて回折限界とほぼ等しい解像度0.3μmが得られていることを定量的に確認した。試料の最低到達温度は15Kであった。顕微PL像の例としてGaAs_<0.67>P_<0.33>の顕微PL像(波長666nm、解像度0.5μm)を示す。また、4H-SiCホモエピタキシャル層について、表面欠陥が励起子発光の強度に与える影響について述べる。
2000-06-23

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