ホトルミネセンス法およびDLTS法によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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ホトルミネセンス(PL)法を活用して,極浅接合の再結晶化に関する新しい知見を得た.イオン注入層の再結晶化に伴う10ohm/sq.程度のシート抵抗の変化に対応したPL強度の変化を捉えた.PL法で,非破壊で感度良く再結晶化の過程を観測できる.注入条件および熱処理条件の異なる極浅接合をDLTS法により解析し,再結晶化過程における欠陥の生成と消滅の様子を捉えた.極浅接合の深さは20nm程度であるのに対して,欠陥は600nm程度の深さにまで形成されていた.DLTS測定で検出した欠陥の深さとPL測定の検出深さが良く一致している.PL強度は,極浅接合より深いところの欠陥密度と対応関係を持つことを明らかにした.
- 2010-12-10
著者
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Yoo Woo
Wafer Masters Inc.
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Yoo Woo
Wafermasters Inc.
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吉本 昌広
京都工芸繊維大学地域共同研究センター
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吉本 昌広
京都工芸繊維大学
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高島 周平
京都工芸繊維大学工芸科学研究科
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奥谷 真士
京都工芸繊維大学工芸科学研究科
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