ナノスケールウエットエッチング法を用いたSi極浅接合の深さ方向ホトルミネセンス分析(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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ナノスケールでウエットエッチングした試料のホトルミネセンス(PL)を低温と室温で観測することによって,極浅接合の欠陥の深さ方向に関する知見を得た.低温PL測定ではエッチングするにつれて,注入層中の欠陥が消滅していく様子を捉えた.ラマン分光法でアモルファス層が観測され再結晶化が進んでいない場合、注入層中の欠陥の存在のために室温でのPL強度は低下し,エッチングにより注入層を除去するとPL強度が増大した.一方,再結晶化が進行しアモルファス層が消失した試料では,注入層の存在はPL強度に影響せず,エッチングを行なってもPL強度は一定であった.再結晶化が進行した試料の室温PL強度は,注入層より深い領域の欠陥量を反映することを明確にした.室温PL測定は4探針測定では捉えられない注入層より深い領域の欠陥を敏感に検出できる.室温PL法より極浅接合の電気的特性を反映した知見を,光学的手法で非破壊かつ非接触で得られることを示した.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-11-30
著者
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吉本 昌広
京都工芸繊維大学
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吉本 昌広
京都工芸繊維大学工芸科学研究科
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奥谷 真士
京都工芸繊維大学工芸科学研究科
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村井 剛太
京都工芸繊維大学工芸科学研究科
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田川 修治
京都工芸繊維大学工芸科学研究科
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Woo Sik
WaferMasters,Inc
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