分子線エピタキシー法によるGaAs_<1-x>Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
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概要
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温度無依存発振波長を持つ新規半導体レーザ製作に向けて、GaAs基板上にGaAs_<1-x>Bi_x/GaAs多重量子井戸(MQW)構造を分子線エピタキシー(MBE)法により製作した。 MQW構造からのX線回折(XRD)パターンにサテライトピークが見られ、MQW構造が製作できていることを確認した。MQW試料のホトルミネセンス(PL)のピークエネルギーは井戸層厚を小さくするにつれてブルーシフトした。これは量子サイズ効果によるものといえる。700℃以下の温度範囲でアニールした試料のXRDパターンのピーク強度やピーク位置に変化は見られなかった。PLピークエネルギーにも大きな変化が見られず、700℃以下でGaAs_<1-x>Bi_x/GaAs-MQW構造は熱的に安定であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-21
著者
-
尾江 邦重
京都工芸繊維大学工芸学部
-
尾江 邦重
京都工芸繊維大学
-
尾江 邦重
京都工芸繊維大学 工芸科学研究科
-
尾江 邦重
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
吉本 昌広
京都工芸繊維大学地域共同研究センタｰ
-
吉本 昌宏
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
木下 雄介
京都工芸繊維大学 工芸科学研究科
-
吉本 昌広
京都工芸繊維大学
-
富永 依里子
京都工芸繊維大学工芸科学研究科
-
富永 依里子
京都工芸繊維大学大学院電子システム工学部門
-
吉本 昌広
京都工芸繊維大学大学院 電子システム工学部門
-
富永 依里子
京都工芸繊維大学大学院 電子システム工学部門
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