横方向電流注入型半導体レーザの光アクセス系送受光素子特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本研究は, 横方向電流注入型半導体レーザを光アクセス系ネットワークにおける送受光素子に採用したときの特性を調べることを目的とする.送受光素子は, 時間圧縮多重方式において用いられる素子であり, 半導体レーザとフォトディテクタを1つの素子で実現したものである.この素子の更なるコスト削減と高速化を実現するためには, 電子デバイスとのモノリシック集積が必要不可欠であり, 光電子集積化回路に適した横方向電流注入型半導体レーザを送受光素子として採用することが望まれる.横方向電流注入型半導体レーザは, 送信, 受光両特性において, 送受光素子として十分な特性が持つことが明らかになった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-04
著者
-
新井 雅之
京都工芸繊維大学工芸学部:日本電気
-
村田 聡司
京都工芸繊維大学工芸学部
-
尾江 邦重
京都工芸繊維大学工芸学部
-
尾江 邦重
京都工芸繊維大学
-
尾江 邦重
京都工芸繊維大学 工芸科学研究科
-
尾江 邦重
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
関連論文
- 横方向電流注入型半導体レーザの光アクセス系送受光素子特性
- B-5-136 アイセーフ半導体レーザを用いた高速室内光無線 LAN システムの検討 2 (マルチビーム光源を用いた下り回線)
- B-5-135 アイセーフ半導体レーザを用いた高速室内光無線 LAN システムの検討 1 (上り回線)
- ポリエチレン繊維(ダイニーマ)FRPを用いたFBG反射波長の温度無依存化
- ポリエチレン繊維FRPによるFBG反射波長の温度無依存化
- B-10-56 直射方式を用いた100Mbps室内光無線LANにおける送信機光源の構成法
- B-13-11 MMF光伝送におけるスペックルノイズの影響の検討(B-13. 光ファイバ応用技術)
- C-4-32 新半導体GaAsBi混晶の光学的特性
- 横方向電流注入型半導体レーザの光アクセス系送受光素子特性
- 光励起によるGaAs1-xBi[x]/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振--その発振波長の低温度依存性 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 分子線エピタキシー法によるGaAs_Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- 分子線エピタキシー法によるGaAs_Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- 分子線エピタキシー法によるGaAs_Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,および一般)
- 分子線エピタキシー法によるGaAs_Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作
- C-4-18 1.3μm波長色素添加プラスチックレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 光励起によるGaAs_Bi_x/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 : その発振波長の低温度依存性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 光励起によるGaAs_Bi_x/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 : その発振波長の低温度依存性(奨励講演,半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 光励起によるGaAs_Bi_x/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 : その発振波長の低温度依存性