直流プラズマ化学気相堆積法による配向カーボンナノチューブの低温成長
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概要
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The experiments of carbon nanotube (CNT) synthesis were carried out at low temperature by direct current plasma chemical vapor deposition (DC-PCVD). High DC bias voltage was applied to substrates with hot filaments, which were used for preheating and stabilizing plasma before the synthesis. As a result well-aligned CNTs about 60 nm in diameter were successfully obtained in the density of about 109 cm-2 on the surface of the Co film deposited on Si substrate at 500°C.
- 日本真空協会の論文
- 2005-03-20
著者
-
西野 茂
京都工芸繊維大学工芸学部
-
林 康明
京都工芸繊維大学大学院
-
渡辺 陽介
京都工芸繊維大学工芸科学研究科電子情報工学専攻電子物性工学研究室
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学・工芸
-
林康 明
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学
-
林 康明
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
-
Hayashi Yutaka
Device Synthesis Section Electrotechnical Laboratory
-
Hayashi Y
Ricoh Co. Ltd. Kanagawa Jpn
-
Hayashi Yuzo
Irie Koken Co. Ltd.
-
Hayashi Y
Irie Koken Co. Ltd. Saitama Jpn
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