プラズマCVDによるpoly-Si膜の低温形成過程のインプロセス偏光解析モニタリング
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概要
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原料ガスにSiF_4とSiH_4とH_2を用いて、基板温度300℃においてプラズマCVD法で多結晶シリコンを形成し、分光偏光解析法を用いて膜質の時間的な変化をモニタリングした。SiF_4の流量比の増加に伴い、結晶シリコン成分が増加することが分かった。同時に堆積速度が減少し、表面荒れ層が増加することから、フッ素原子による非晶質シリコン成分の選択的なエッチングが行われることで結晶化が起こることが示唆された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-09
著者
-
中島 伸二
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
林 康明
京都工芸繊維大学大学院
-
中山 孝文
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
白藤 立
京都大学
-
橘 邦英
京都工芸繊維大学
-
橘 邦英
愛媛大学大学院工学研究科電子情報工学専攻
-
林康 明
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
白藤 立
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
林 康明
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
-
Hayashi Yutaka
Device Synthesis Section Electrotechnical Laboratory
-
Hayashi Yuzo
Irie Koken Co. Ltd.
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