Raman Scattering Studies on Hydrogenated Amorphous Silicon Prepared under High Deposition Rate Conditions

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概要

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• 社団法人応用物理学会の論文
• 1985-06-20

著者

• 林 康明

  京都工芸繊維大学大学院

• 林康 明

  京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科

• 林 康明

  京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科

• Hayashi Yuzo

  Irie Koken Co. Ltd.

• Sakata I

  National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. (aist) Ibaraki Jpn

• Sakata Isao

  Device Synthesis Section Electrotechnical Laboratory

• Sakata Isao

  Electron Devices Division Electrotechnical Laboratory

• SAKATA Isao

  Semiconductor Device Section, Electrotechnical Laboratory

• HAYASHI Yutaka

  Semiconductor Device Section, Electrotechnical Laboratory

• YAMANAKA Mitsuyuki

  Semiconductor Device Section, Electrotechnical Laboratory

• OKAZAKI Satoru

  Semiconductor Device Section, Electrotechnical Laboratory

• OKAZAKI Shoji

  Department of Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Osaka University

• Okazaki S

  Osaka Univ. Osaka Jpn

• Yamanaka M

  Electron Devices Division Electrotechnical Laboratory

• Yamanaka Mitsuyuki

  Semiconductor Device Section Electrotechnical Laboratory

• Hayashi Yutaka

  Semiconductor Device Section Electrotechnical Laboratory

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