テトライソシアネートシランを用いたSiO_2膜の堆積
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概要
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テトライソシアネートシラン(TICS: Si(NCO)_4)及びSiF_4を用いたプラズマCVD法によりF添加のSiO_2膜の堆積を行い.赤外分光及びひかX線光電子分光による堆積膜の組成評価を行った.膜堆積は熱CVDではほとんど進行せず,プラズマを用いた場合のみ堆積が確認された.膜組成はSiO結合が支配的であり,SiF_4を添加しない場合にはO-richな膜となるが, SiF_4を添加することによりストイキオメトリックに近い膜が形成された.原料に含まれるN及びCも堆積膜に混入するが,SiF_4の添加により減少した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-07
著者
-
林 康明
京都工芸繊維大学大学院
-
白藤 立
京都大学
-
林康 明
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
白藤 立
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
澤田 真人
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
林 康明
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
-
Hayashi Yutaka
Device Synthesis Section Electrotechnical Laboratory
-
Hayashi Yuzo
Irie Koken Co. Ltd.
-
Hayashi Y
Irie Koken Co. Ltd. Saitama Jpn
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