SiF_4/SiH_4/H_2混合ガスRF放電プラズマCVDによるポリシリコン堆積過程のその場分光エリプソメトリー
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概要
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SiH_4, H_2によるSi薄膜の堆積中に,間欠的にSiF_4プラズマ処理を行うことにより,無処理の場合と比較して,結晶成分の体積分率が増加した.SiF_4プラズマによるa-Siのエッチングレートは,poly-Siのそれよりも小さく,SiF_4から生成されるフッ素などのラジカルはa-Si成分を除去することによりc-Si成分の成長を支援していることが示唆された.また,膜中不純物の分析より,フッ素がSiの自然酸化膜の存在する領域に蓄積することが明らかになった.このことから,フッ素系ラジカルはSiOに吸着するが,それを除去するには至らないことが示された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-10-20
著者
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