1p-CD-11 Srイオン共鳴線のすそ領域衝突拡がりと原子間相互作用(原子・分子,第41回年会)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
ウルツ鉱型InNのバンドギャップ・エネルギ(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
-
ウルツ鉱型InNのバンドギャップ・エネルギ(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
-
イオンプレーティングにおけるAl-Ar混合気体放電のプラズマパラメータとAlのイオン化率
-
顕微ラマン散乱分光法によるSiC単結晶の電気的特性の評価
-
ミ-散乱エリプソメトリ- -プラスマ中微粒子成長過程の新しいインプロセス計測法-
-
4p-W-1 微粒子プラズマに関する最近の話題
-
プラズマCVDによるpoly-Si膜の低温形成過程のインプロセス偏光解析モニタリング
-
シリコンナノクリスタルドットの形成(半導体Si及び関連材料・評価)
-
30a-B-5 Sr 共鳴線の希ガスによる衝突拡がり
-
4a-T-1 Sr共鳴線のXeガスによる衝突拡がり
-
2-5 放電型ディスプレイにおける放電開始電圧の解析
-
カラー放電パネル(PDP)用セルの諸特性(II) : パルス放電の一次元シミュレーション
-
カラーPDP用He-Xe気体放電のシミュレーション : 発光型ディスプレイ話題別研究会 : 情報ディスプレイ(発光型ディスプレイ特集)
-
顕微分光法によるPDPセル内の励起原子密度の時間空間測定(1) : 情報ディスプレイ
-
4-9 カラー放電パネル(PDP)用セルの諸特性(III) : Xeの分子線発光の残光時間
-
カラー放電パネル(PDP)用セルの諸特性(I) : パルス放電の分光測定
-
非平衡低温プラズマと原子分子衝突
-
光CVDのプロセスモデリングと薄膜形成への応用 (フォーラム「膜形成プロセスとその応用」)
-
薄膜トランジスタ用多結晶シリコンの低温堆積過程
-
SiF_4/SiH_4/H_2混合ガスRF放電プラズマCVDによるポリシリコン堆積過程のその場分光エリプソメトリー
-
放電セルの低電流領域における諸特性(その4) : VUV発光波形と考察
-
急速熱処理した極浅イオン注入シリコンウエハの紫外ラマン分光による非破壊結晶性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
-
プラズマプロセスの現状と将来(最新のプラズマプロセス技術)
-
27p-ZA-4 スオーム実験による稀ガスの電子衝突励起係数と励起断面積
-
1p-T-2 材料プロセス用反応性プラズマにおける原子・分子過程
-
5p-I-5 RF放電における分子の解離過程とプラズマ・パラメータ
-
SiH4プラズマCVDにおける膜前駆ラジカル組成に関する研究
-
GaNおよび関連窒化物のラマン散乱分光(半導体エレクトロニクス)
-
赤外ラマン部会シンポジウム「振動スペクトルからいかに有益な分子情報を抽出するか : 新しい振動スペクトル解析法」報告
-
プラズマプロセスにおける気相・界面反応
-
エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
エピタキシャルAIN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
ショックチューブ分光における固体試料調製法
-
GaNおよび関連窒化物のラマン散乱分光
-
光工学と分光学-2-プラズマプロセスにおける分光計測
-
1p-CD-11 Srイオン共鳴線のすそ領域衝突拡がりと原子間相互作用(原子・分子,第41回年会)
-
30p-CD-7 Associative ionization in Rb(nL)-K(4S) collisions
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク