ウルツ鉱型InNのバンドギャップ・エネルギ(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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サファイアc面基板上に有機金属気相成長法を用いて成長した高品質GaN上に,ウルツ鉱型InNを成長した.このInNの結晶性は,ラマン散乱,高速電子線反射回折,および,X線回折による評価によって,高品質なウルツ鉱型単結晶であることが示された.室温での光学吸収測定での吸収端波長は0.7〜1.0evであった.また,室温でフォトルミネッセンスを観測でき,その発光ピークエネルギは,0.76eVであった.以上のことから,InNのバンドギャップ・エネルギ(Eg)は,0.7〜1.0eVと推定される.従来のEgの報告値1.9〜2.1eVとの差は,従来測定に用いられていた結晶が多結晶であったことに由来すると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-06
著者
-
中尾 正史
NTTフォトニクス研究所
-
松岡 隆志
NTT物性科学基礎研究所
-
岡本 浩
NTTフォトニクス研究所
-
播磨 弘
京都工芸繊維大学工芸学部
-
栗本 英治
大阪大学大学院工学研究科
-
井筒 雅之
通信総合研究所
-
井筒 雅之
(独)情報通信研究機構
-
中尾 正史
Ntt フォトニクス研
-
栗本 英治
大阪大学大学院 工学研究科
-
中尾 正史
Nttフォトニクス研
-
播磨 弘
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
播磨 弘
京都工芸繊維大学
-
播磨 弘
京都工芸繊維大学 工芸学部
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