ナノホールアレイの光回路への応用
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概要
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直接プレス法によるアルミ表面へのパタン形成及び陽極酸化法による自己組織化を利用して作製された高規則アルミナホールアレイ構造をドライエッチング技術により半導体に転写し、孔径揺らぎ2%という非常に均一な2次元の半導体ホールアレイを実現した。そのフォトニック結晶としての特性を明らかにすると共にFIBを用いて欠陥型微小光回路を作製し、偏波依存性をもった先導波特性を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-12-14
著者
-
玉村 敏昭
Ntt
-
田中 秀尚
Ntt境界領域研究所
-
田中 秀尚
日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所
-
田中 秀尚
Nttフォトニクス研究所
-
中尾 正史
NTTフォトニクス研究所
-
奥 哲
NTTフォトニクス研究所
-
横尾 篤
NTTフォトニクス研究所
-
玉村 敏昭
NTTフォトニクス研究所
-
益田 秀樹
東京都立大学工学部
-
中尾 正史
日本電信電話株式会社:nttフォトニクス研究所:(現)東北大学金属材料研究所
-
横尾 篤
NTT先端技術総合研究所
-
Tanaka H
Ntt Interdisciplinary Research Laboratories
-
Tanaka Hidenao
Ntt Integrated Information & Energy Systems Laboratories
-
Tanaka Hidenao
The Authors Are With Ntt Cyber Space Laboratories
-
Masuda Hideki
Ogawa & Co. Ltd. Material R&d Laboratory
-
奥 哲
Ntt フォトニクス研
-
中尾 正史
Nttフォトニクス研
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