GaAsマイクロマシニングによるレーザ集積化振動子の諸特性
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概要
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A cantilever resonant microbeam (MB), laser diodes (LD), and a photodiode are fabricated on the surface of a gallium arsenide (GaAS) substrate. The microbeam length, width and thickness are 110(50), 3.0,and 5 μm and the distances from the facet of LD 1 to the side wall of the MB and LD 2 to MB are 3.O and 30 μm. The microbeam is excited photothermally by light from one laser diode (LD 2). With a photodiode, the vibration is detected as the light output variation due to the optical length difference between the microbeam and another laser diode (LD 1). Carrier-to-noise ratio is very high (45 dB) due to an extremely short (3 μm) external cavity length. Such small distance allows a lensless system, which makes it easier to fabricate.
- 社団法人精密工学会の論文
- 1993-09-05
著者
-
田中 秀尚
Ntt境界領域研究所
-
田中 秀尚
日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所
-
田中 秀尚
Nttフォトニクス研究所
-
浮田 宏生
日本電信電話(株)境界領域研究所
-
上西 祐司
日本電信電話(株)境界領域研究所
-
板生 清
中央大学理工学部
-
Tanaka H
Ntt Interdisciplinary Research Laboratories
-
Tanaka Hidenao
Ntt Integrated Information & Energy Systems Laboratories
-
Tanaka Hidenao
The Authors Are With Ntt Cyber Space Laboratories
-
上西 祐司
Ntt
-
上西 祐司
日本電信電話(株)nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
浮田 宏生
日本電信電話(株)境界領域研究所:(現)立命館大学理工学部
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