Cubic GaN Ligh Emitting Diode Grown by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy(Special Issue on Blue Laser Diodes and Related Devices/Technologies)
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概要
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We studied Si and Mg doping characteristics in cubic GaN and fabricated a light emitting diode of cubic GaN on a GaAs substrate by metalorganic vapor-phase epitaxy. The diode structure consisted of undoped and Mg-doped GaN stacking layers deposited on Si-doped GaN and AlGaN layers. The electron-beam-induced-current signal and current injection characteristics of this diode structure were measured. There was a peak at the interface between the Mg-doped and undoped GaN in the electron-beam-induced-current signal. This shows successful growth of the p-n junction. Light emitting operation was achieved by currents injected through the conducting GaAs substrate of this diode at room temperature. We observed electroluminescence below the bandgap energy of cubic GaN with a peak at 2.6 eV.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-04-25
著者
-
田中 秀尚
Ntt境界領域研究所
-
田中 秀尚
日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所
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田中 秀尚
Nttフォトニクス研究所
-
Tanaka H
Ntt Interdisciplinary Research Laboratories
-
Tanaka Hidenao
Ntt Integrated Information & Energy Systems Laboratories
-
Tanaka Hidenao
The Authors Are With Ntt Cyber Space Laboratories
-
NAKADAIRA Atsushi
The authors are with NTT Cyber Space Laboratories
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