テラヘルツ波光変調器における材料分散と構造分散の影響
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概要
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誘電体の電気光学効果を利用してLiNbO_3外部光変調器で数100GHzや1THzで変調動作させるものが提案されている。1THzで高速変調をかける場合、分散効果により動作に影響が起きることが考えられる。そこで外部光変調器の高速動作時に、材料の屈折率に起因する材料分散と伝送路の構造に起因する構造分散が変調特性にどのような影響を与えるかを調べた。簡単化のため変調器として位相変調器のみを取り上げ解析した。構造分散は、単純な一次元3層からなる伝送路を仮定して計算した。その結果、1μm以下の波長では材料分散でほとんど特性が決まってしまうのに対して1.55μmの波長では構造分散の影響がほとんどであることが分がった。また変調器内の伝送距離が数mm以下の時、1μm以下の波長では1THzで位相変調をかけても分散効果で強度変調に変化していくこと、1.55μmでは1THzで分散効果が影響を出し始めることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-02-10
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