EOS計測システムを用いた非対称T型電極構造に対する周波数応答評価
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概要
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電気光学サンプリング技術は、高速・高密度な実装基板上の配線を伝搬するマイクロ波信号(被測定信号)の直接計測を可能にした。狭帯域な周波数応答を持つデバイスに対して、電気光学サンプリング技術を用いて周波数応答を測定する場合、被測定信号周波数及び、これと同期したサンプリングパルスの繰り返し周波数を細かく変化させる必要がある。本実験において、サンプリングパルスの繰り返し周波数を変える事による、サンプリングパルスに加わる位相ゆらぎの増加は、電気光学サンプリング計測に影響を与えない事を示した。また、電気光学サンプリング技術を用いて、非対称T型共振電極上の電界分布を測定した。
- 2002-01-18
著者
-
川西 哲也
通信総合研究所
-
井筒 雅之
通信総合研究所
-
及川 哲
住友大阪セメント株式会社新規技術研究所
-
及川 哲
通信・放送機構
-
及川 哲
住友大阪セメント(株) 新規技術研究所 オプトエレクトロニクス研究グループ
-
松尾 善郎
通信総合研究所
-
日隈 薫
通信・放送機構
-
松尾 善郎
通信総合研究所基礎先端部門・光情報技術グループ
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