播磨 弘 | 京都工芸繊維大学工芸学部

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概要

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関連著者

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学工芸学部

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学 工芸学部

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 平松 和政

  三重大 工

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• 宮川 鈴衣奈

  三重大学大学院工学研究科

• 楊 士波

  三重大学大学院工学研究科

• 平松 和政

  三重大学大学院 工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 中尾 正史

  NTTフォトニクス研究所

• 松岡 隆志

  NTT物性科学基礎研究所

• 岡本 浩

  NTTフォトニクス研究所

• 栗本 英治

  大阪大学大学院工学研究科

• 井筒 雅之

  通信総合研究所

• 井筒 雅之

  (独)情報通信研究機構

• 橘 邦英

  京都工繊大工芸

• 播磨 弘

  京工繊大

• 橘 邦英

  京都工芸繊維大学

• 浦野 芳雄

  京都工繊大工芸

• 福造 幸雄

  京都工芸繊維大

• 浦野 芳雄

  京都工芸繊維大

• 栗本 英治

  大阪大学大学院 工学研究科

• 中尾 正史

  Nttフォトニクス研

• 冬木 隆

  奈良先端科学技術大学院大学

• 高橋 英治

  日新電機株式会社

• 前田 幸治

  宮崎大学工学部電気電子工学科

• 中島 信一

  産総研

• 中島 信一

  産技総研

• 畑山 智亮

  Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology

• 畑山 智亮

  奈良先端科学技術大学院大学

• 中島 信一

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 緒方 潔

  日新電機株式会社

• 東名 敦志

  日新電機株式会社

• 一色 俊之

  京都工芸繊維大

• 安田 幸夫

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所

• 浦岡 行治

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 矢野 裕司

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 中島 信一

  阪大・工

• 中武 安啓

  宮崎大学工学研究科電気電子専攻

• 矢野 祐樹

  宮崎大学工学部電気電子工学科

• 大谷 昇

  新日鐵

• 勝野 正和

  新日鐵

• 向 正人

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 市川 和典

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• パンチャイペッチ P.

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 林 司

  日新電機株式会社

• 矢野 裕司

  奈良先端科学技術大学院大学

• 冬木 隆

  奈良先端科学技術大学院大

• 浦岡 行治

  奈良先端科学技術大学院大

• 市川 和典

  神戸市立工業高等専門学校

• 一色 俊之

  京都工芸繊維大学工芸科学研究科

• 一色 俊之

  京都工芸繊維大学 工芸学部

• 中尾 正史

  Ntt フォトニクス研

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学学芸学部電子情報工学科

• 吉本 昌広

  京都工芸繊維大学地域共同研究センタｰ

• 西垣 宏

  京都工芸繊維大学工芸科学研究科

• Kang Kitaek

  WaferMasters, Inc.

• Yoo Woo

  WaferMasters, Inc.

• Yoo Woo

  Wafer Masters Inc.

• Yoo Woo

  Institute Of Microelectronics/a Star

• Kang Kitaek

  Wafermasters Inc.

• Kang Kitaek

  Wafer Masters Inc.

• 吉本 昌広

  京都工芸繊維大学地域共同研究センター

• 吉本 昌広

  京都工芸繊維大学

• 中島 信一

  産業技術総合研究所

• パンチャイペッチ プラカイペッチ

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

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著作論文

• ウルツ鉱型InNのバンドギャップ・エネルギ(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• ウルツ鉱型InNのバンドギャップ・エネルギ(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• 顕微ラマン散乱分光法によるSiC単結晶の電気的特性の評価
• シリコンナノクリスタルドットの形成(半導体Si及び関連材料・評価)
• 30a-B-5 Sr 共鳴線の希ガスによる衝突拡がり
• 4a-T-1 Sr共鳴線のXeガスによる衝突拡がり
• 急速熱処理した極浅イオン注入シリコンウエハの紫外ラマン分光による非破壊結晶性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
• GaNおよび関連窒化物のラマン散乱分光(半導体エレクトロニクス)
• 赤外ラマン部会シンポジウム「振動スペクトルからいかに有益な分子情報を抽出するか : 新しい振動スペクトル解析法」報告
• エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• エピタキシャルAIN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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