中島 信一 | 阪大・工
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概要
関連著者
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中島 信一
阪大・工
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中島 信一
産技総研
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中島 信一
産総研
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長谷 宗明
筑波大数物
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長谷 宗明
物質・材料研究機構 材料研究所
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播磨 弘
京都工芸繊維大学学芸学部電子情報工学科
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三石 明善
阪大・工
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阪井 清美
情通機構関西
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中島 信一
阪大工
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中島 信一
阪大工, 阪大超伝導セ
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播磨 弘
阪大工
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溝口 幸司
阪大工
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長谷 宗明
阪大工
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萩行 正憲
阪大・工
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谷 正彦
福井大学遠赤外領域開発研究センター
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三石 明善
阪大工
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中島 信一
宮崎大工
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中嶋 誠
東大物性研
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阪井 清美
通信総研・関西
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板倉 啓二郎
阪大・工
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福本 隼明
阪大工
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福本 隼明
阪大・工
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伊藤 公平
慶応大理工
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笠谷 祐史
静岡理工科大
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北島 正弘
防衛大理工
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寺内 暉
関学大・理
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阪井 清美
郵政省通信総研関西
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宮丸 文章
信州大理
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北島 正弘
物材機構
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溝口 幸司
阪市大院工
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中島 信一
大阪大学工学部
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長谷 宗明
物・材機構
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北島 正弘
物・材機構
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中嶋 誠
阪大工
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溝口 幸司
阪市大工
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伊藤 公平
慶大理工
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長谷 宗明
金材研
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阪井 清美
通信総合研究所
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北島 正弘
物材機構ナノ計測セ
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長谷 宗明
阪大・工
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田渕 健二
阪大工
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服部 武志
阪大・工
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播磨 弘
阪大・工
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溝口 幸司
阪市大・工
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北島 正弘
物質・材料研究機構:筑波大
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田渕 健二
阪大・工
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阪井 清美
郵政省通信総合研究所関西先端研究センター
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溝口 幸司
阪市大
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長谷 宗明
物・材機構 材料研
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竹内 日出雄
滋賀県立大工
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末元 徹
東大物性研
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松田 宏雄
産総研
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木曽田 賢治
和歌山大教育
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前田 幸治
宮崎大学工学部電気電子工学科
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荒井 毅
分子研
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寿栄松 宏仁
東大・理
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豊田 直樹
関学大・理
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阪上 潔
関学大・理
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荒井 毅
東大・理
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後藤 真志
松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター
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富田 卓朗
東大物性研
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富田 卓朗
徳島大院ソシオ
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糟谷 忠雄
東北大・理
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中島 信一
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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木曽田 賢治
阪大工
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Misochko Oleg
郵政省通信総研関西
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谷 正彦
郵政省通信総研関西
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安部 元
郵政省通信総合研究所関西先端研究センター
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播磨 弘
京都工芸繊維大学工芸学部
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水貝 俊治
名古屋大理
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落合 明
東北大・理
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鈴木 孝
東北大・理
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寺内 暉
関西学院大
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阪上 潔
関西学院大理工
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坂井 全弘
松下電器産業(株)中央研究所
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寿栄松 宏仁
Spring8
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西谷 幹彦
松下電器産業(株)中央研究所
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山本 睦
松下電器産業(株),部品デバイス研究センター,ディスプレイ研究所
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松田 宏雄
東北大学物質工学工業技術研究所
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西谷 幹彦
松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター
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坂井 全弘
松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター
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坂井 全弘
松下電器産業(株) 中央研究所
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西谷 輝
松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター
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溝口 幸司
大阪大学工学部
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西谷 幹彦
松下電器産業
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片浜 久
阪大工
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齋藤 伸吾
東大物性研
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片浜 久
阪大・工
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溝口 幸司
阪大・工
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溝口 幸司
大阪市立大学工学部
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山本 睦
松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター
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Rong Lu
物・材機構
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中武 安啓
宮崎大学工学研究科電気電子専攻
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矢野 祐樹
宮崎大学工学部電気電子工学科
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大谷 昇
新日鐵
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勝野 正和
新日鐵
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森田 健
慶大理工
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中島 誠
阪大
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宮丸 文章
阪大
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宮丸 文章
阪大工
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四方 朋子
阪大工
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谷 正彦
通信総研・関西
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CHO S.
Northwestern Univ.
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DIVENORE A.
Northwestern Univ.
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KETTERSON J.B
Northwestern Univ.
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中島 信一
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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長谷 宗明
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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溝口 幸司
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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Kurz H.
アーヘン工科大
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中山 正昭
阪市大工
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谷 正彦
通信総合研究所基礎先端部門
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加藤 政雄
東京理科大学基礎工学部
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Ochiai Akira
The Oarai Branch Institute For Materials Research Tohoku University
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水貝 俊治
阪大・理
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笠谷 祐史
関学大・理
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高砂 一弥
慶大・理工
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竹川 誠
慶大・理工
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神成 文彦
慶大・理工
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谷 正彦
通信総合技術研究所関西
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阪井 清美
通信総合技術研究所関西
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松田 宏雄
繊高研
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中西 八郎
繊高研
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森田 健
科学技術振興機構:東北大通研
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西畑 保雄
関西学院大・理
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中島 信一
宮崎大学 工学部電気電子工学科
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笠谷 祐史
静岡理工大
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浜中 泰
阪大・工
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浜中 泰
阪大工
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中嶋 敏幸
関学大・理
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日野 貴
阪市大工
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竹内 日出雄
阪市大工
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Bartels A.
アーヘン工科大
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Dekorsy T.
アーヘン工科大
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坂下 寛文
関西学院大・理
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加藤 政雄
繊高研
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鈴木 克典
阪大・工
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山下 光二
阪大・工
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中島 信一
産業技術総合研究所
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播磨 弘
京都工芸繊維大学
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山本 睦
松下電器産業
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市野 晴彦
阪大・工
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榎並 啓好
阪大・工
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榎並 啓好
日本電装
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小柴 隆史
関学大・理
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富田 卓朗
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
-
富田 卓朗
徳島大学大学院ソシオテクノサイェンス研究部
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神前 隆
関西学院大・理
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吉川 正信
阪大・工
著作論文
- 29p-ZG-12 YBCO膜におけるコヒーレントフォノン
- 低温ポリシリコン薄膜の作製と評価 : エキシマーレーザーアニールによる結晶化プロセスと結晶性の関係
- 27a-B-6 SnS_2のラマン散乱
- 22aYD-4 強誘電体Pb_Ge_xTeにおける構造相転移ダイナミクスのフェムト秒ポンプ-プローブ分光(I)(領域5,領域10合同 誘電体の光制御・光学応答,領域5(光物性))
- 顕微ラマン散乱分光法によるSiC単結晶の電気的特性の評価
- 17aRE-14 Biにおけるコヒーレントフォノン : 高密度励起下の非調和効果
- 27aYA-10 伝導帯間遷移を用いたSicにおける電子緩和過程の観測
- ラマン散乱分光法によるSiCの積層欠陥の評価 (特集 ハードエレクトロニクス--超低損失パワーデバイス技術) -- (デバイスプロセスと特性評価)
- 26pYB-2 同位体^Ge/^Ge超格子におけるコヒーレントフォノンの観測
- 26aYB-18 スペクトル分解ポンプ・プロープ法によるn-GaAs中のLO Phonon-Plasmon結合モードの研究
- 25pYH-5 半導体のコヒーレンフォノン、プラズモンの超高速ダイナミクス
- 30p-ZA-4 コヒーレントフォノンの発生と検出 : 電子励起との関わり合い
- 29p-ZG-11 n-GaAsにおけるLO phonon-Plasmon結合モードの超高速コヒーレント制御
- 29p-ZG-9 GaAs上のII-VI族半導体エピタキシャル膜におけるコヒーレントフォノンの観測
- 29p-ZG-8 強誘電体GeTeにおけるコヒーレントソフトフォノンの励起光強度依存性
- 25a-YN-17 Bi/Sb超格子のコヒーレントフォノンのダイナミクス
- 25a-YN-16 GaAsにおけるLOフォノン-プラズモン結合モードの超高速緩和
- フェムト秒領域のコヒーレントフォノンの振舞
- THz電磁波発信, 受信における素子基板特性の影響
- フェムト秒パルスの位相フィルターのみによる波形整形
- 半金属単結晶におけるコヒーレントフォノンの異方性
- 15a-B-1 固体C_の相転移の研究
- 17aRE-13 長周期GaAs/AlAs超格子におけるコヒーレントフォノン
- 29p-ZG-10 半導体(Ge, GaAs)におけるコヒーレントフォノンの偏光特性
- 29a-QA-10 含フッ素ポリジアセチレンのラマンスペクトル
- 3a-P-3 ポリジアセチレンのラマンスペクトルの圧力効果
- 3a-P-2 ポリジアセチレンにおけるラマンスペクトルの励起波長依存性
- 12a-Y-9 銅ハライドのラマンスペクトルの温度依存性
- 25p-H-6 銅ハライドのラマンスペクトルの温度変化
- 13p-P-3 CuCl, CuI のラマンスペクトル
- 3p-B-20 ZnTeの深い不純物準位のエレクトロニックラマン散乱
- 27a-E-8 CeSe及びCe_2Se_3のラマン散乱
- 2a-B-11 Cd_Zn_xTeの構造と誘電性
- 11p-F-6 ZnTeのアクセプターの赤外吸収とエミッションスペクトル
- 11p-F-5 ZnTeのアクセプターのラマン散乱
- 1p-EA-7 部分的に重合したジアセチレン(DCHD)のラマンスペクトル(1p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 31p-D4-14 NH_4-TCNQの相転移のX線的研究(31p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)