低温ポリシリコン薄膜の作製と評価 : エキシマーレーザーアニールによる結晶化プロセスと結晶性の関係
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概要
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エキシマーレーザーァニールによつて作製したpoly-Si薄膜にっいて、Raman散乱スペクトル、X線回折、RHEEDによって結晶性や配向性について評価し、AFM、SEM、TEMによって表面モフォロジー及ぴ微構造を解析した。その結果、1)得られたpoly-Si薄膜は、基板側に比ベ膜表面の方が結晶性が優れているすること、2)ある限られたエキシマーレーザー照射エネルギー密度で強く(111)配向するpoly-Si薄膜が得られ、その強い配向性を示す薄膜が最も優れた結晶性を示すこと、などが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-04-23
著者
-
中島 信一
産総研
-
中島 信一
産技総研
-
後藤 真志
松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター
-
坂井 全弘
松下電器産業(株)中央研究所
-
西谷 幹彦
松下電器産業(株)中央研究所
-
山本 睦
松下電器産業(株),部品デバイス研究センター,ディスプレイ研究所
-
西谷 幹彦
松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター
-
坂井 全弘
松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター
-
坂井 全弘
松下電器産業(株) 中央研究所
-
西谷 輝
松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター
-
溝口 幸司
大阪大学工学部
-
中島 信一
大阪大学工学部
-
西谷 幹彦
松下電器産業
-
中島 信一
阪大・工
-
山本 睦
松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター
-
山本 睦
松下電器産業
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