新たな製造方法により得られた高特性低温ポリSi-TFT
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概要
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新規ELAプロセスによる高品質poly-Si膜の形成と、poly-Si膜とゲート絶縁膜の連続形成プロセスの開発により、285cm^2/Vsの高い移動度を有する高性能のTFTを実現することができた。新開発クラスタータイプの装置を用い、ELAプロセス後、界面を大気にさらさず、ゲート絶縁膜を形成し、清浄性が得られた。また、均一性も従来方法に比べて高く、生産上広いプロセスマージンを実現することができた。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1999-10-21
著者
-
後藤 真志
松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター
-
坂井 全弘
松下電器産業(株)中央研究所
-
西谷 幹彦
松下電器産業(株)中央研究所
-
山本 睦
松下電器産業(株),部品デバイス研究センター,ディスプレイ研究所
-
西谷 幹彦
松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター
-
坂井 全弘
松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター
-
坂井 全弘
松下電器産業(株) 中央研究所
-
西谷 輝
松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター
-
後藤 正志
松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター
-
武富 義尚
松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター
-
筒 博
松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター
-
西谷 幹彦
松下電器産業
-
山本 睦
松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター
-
武富 義尚
松下電器産業(株)
-
山本 睦
松下電器産業
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