高性能Al合金材料を用いた高開口率a-Si TFT-LCD
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概要
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ゲートおよびソースバスラインに新規なAl合金を用いた、高開口率のa-Si薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ(a-Si TFT-LCD)を開発した。ゲートバスラインにはAl-Zr合金を、ソースバスラインにはMoとの積層構造としたAl-W合金を用いた。これら新規なAl合金を用い、EWS対応の画素サイズ : 87μm×261μmのa-Si TFT-LCDにおいて、開口率57%が得られた。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1995-02-17
著者
-
山本 睦
松下電器
-
山本 睦
松下電器産業(株),部品デバイス研究センター,ディスプレイ研究所
-
田村 達彦
松下電器産業株式会社映像音響研究センター
-
山本 睦
松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター
-
山本 睦
松下電器産業(株) 部品デバイス研究センター ディスプレイ研究所
-
小林 郁典
松下電器産業(株)中央研究所
-
坪井 伸行
松下電器
-
美濃 美子
松下電器
-
岡藤 美智子
松下電器
-
広瀬 貴司
松下電器産業株式会社液晶開発センター
-
Bruck Scott
松下電器産業株式会社液晶開発センター
-
坪井 伸行
松下電器産業株式会社液晶開発センター
-
美濃 美子
松下電器産業株式会社液晶開発センター
-
岡藤 美智子
松下電器産業株式会社液晶開発センター
-
坪井 伸行
松下電器産業
-
小林 郁典
松下電器産業 中研
-
美濃 美子
松下電器産業
-
田村 達彦
松下電器産業
-
岡藤 美智子
松下電器産業
-
山本 睦
松下電器産業
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