ラマンイメージングによる再結晶化シリコン層の欠陥検出
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概要
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線状照射型ラマンイメージング装置を用いて、単結晶シリコンをイオン注入によりアモルファス化した後フラッシュランプアニールによって再結晶化したシリコン層の結晶性の評価を行った。再結晶化されたシリコン層には、多くの欠陥を含むクラスターが存在し、その領域から得られるラマンバンドは単結晶シリコンのバンドより幅が広く低振動数側にシフトしていた。また、このラマンバンドは、幅が広くなるほどピーク振動数は低振動数側にシフトする傾向にあった。この理由として、クラスター内の欠陥密度が深さ方向に密度分布を持つためと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-24
著者
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