Si(NCO)_4添加のフロロカーボンプラズマを用いた低誘電率絶縁膜のCVD
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概要
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テトラフロロエチレン(TFE,CF_2=CF_2)にテトライソシアネートシラン(TICS, Si(-N=C=O)_4)を添加した混合ガスRF放電プラズマを用い, イミド基(-N-C=O)を含有するアモルファス・フッ素化カーボン(a-C:F)膜が堆積される. TICS無添加の場合, 誘電率は2.0と低いが, 400℃1時間の加熱により膜中C-F_x結合が分解消滅する. これに対しTICS添加率80%の場合は, 誘電率の増加は2.3までに抑えられており, 加熱後も60%のC-F_x結合が維持され耐熱性が向上する. なお, TICS添加率100%でSiO_2が形成されるにも関わらず, 90%までTICS添加率を増加させても, 膜にはSi-O結合が形成されない.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-12-12
著者
-
西野 茂
京都工芸繊維大学工芸学部
-
林 康明
京都工芸繊維大学大学院
-
白藤 立
京都大学
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学・工芸
-
林康 明
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
白藤 立
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
中神 優子
京都工芸繊維大学 工芸学部 電子情報工学科
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学
-
林 康明
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
-
Hayashi Yutaka
Device Synthesis Section Electrotechnical Laboratory
-
Hayashi Yuzo
Irie Koken Co. Ltd.
-
Hayashi Y
Irie Koken Co. Ltd. Saitama Jpn
-
白藤 立
京大
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