常圧CVDによるHMDSを用いたSi基板上への3C-SiCエピタキシャル成長(半導体Si及び関連電子材料評価)
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概要
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原料にHMDS(hexamethyldisilane : Si_2(CH_3)_6)+H_2ガスを用いて,常圧CVD法により1350℃でSi(100)基板上に単結晶3C-SiC薄膜を成長させた.HMDS+H_2ガスは反応管内でC過剰のよに思われるが,on-axisの表面モフォロジーはcross-hatched patternの特徴が見られた.このような特徴は適度なSi/C比によるものである.結晶性の膜厚依存性をXRDにより評価した. Hall移動度の最大は室温で約400cm^2/Vsであった.単一原料であるHMDSのSi/C比は一定であるので,Si/C比を変えるためにHClまたは,C_3H_8を原料ガスとして加えた.その結果,適度なHClを加えると結晶性の改善が見られた.表面構造をAFMにより観察した.on-axis基板の表面モフォロジーは2つの面が垂直に交差しているのが見られたが,off-axis基板では一方向のflow patternによるモフォロジーが得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-12-09
著者
-
西野 茂
京都工芸繊維大学工芸学部
-
白藤 立
京都大学
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学・工芸
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白藤 立
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学
-
陳 義
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
増田 泰一
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
Jacob C.
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
Jacob C
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
陳 義
京都工芸繊維大学
-
増田 泰一
京都工芸繊維大学
-
白藤 立
京大
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