DVS-BCBを用いた低誘電率膜堆積プラズマプロセスのその場FTIR気相診断(半導体Si及び関連材料・評価)
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概要
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我々は, 物性スケーリングにより複数世代への対応が可能として検討されているDVS-BCBを用いたプラズマ重合Low-k膜[1, 2]の堆積過程のその場FTIR分光を行うことにより, ほとんど明かにされていないその反応過程を解明しようとしている[3, 4].気相診断においては気相中での原料解離およびSi-Hx結合が生成されている様子を観測した.また堆積した膜には気相での原料の解離の状態を反映した構造が取り込まれており, 特に過剰解離により有機基が含まれる量が少なくなると誘電率が上昇するという結果を得た.またパルス放電を提案し過剰解離抑制に効果があることを実証し, 気相中のモノマーの挙動についても調べた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-12-14
著者
-
橘 邦英
京都大学工学研究科
-
橘 邦英
京都工繊大工芸
-
白藤 立
京都大学
-
橘 邦英
京工繊大
-
橘 邦英
愛媛大学大学院工学研究科電子情報工学専攻
-
白藤 立
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
西村 好康
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
白藤 立
京都大学国際融合創造センター
-
Tachibana Kunihide
Department Of Electronics And Information Science Kyoto Institute Of Technology:department Of Electr
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