HMDSO添加のフロロカーボンプラズマを用いた低誘電率絶縁膜のCVD
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概要
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テトラフロロエチレン(TFE, CF_2=CF_2)にヘキサメチルジシロキサン(HMDSO, (CH_3)_3-Si-O-Si-(CH_3)_3)を添加した混合ガスRF放電プラズマを用い, Si-Oを含有するアモルファス・フッ素化カーボン(a-C:F)膜を堆積し, その誘電率と耐熱性を調べた.誘電率はHMDSO添加率10%以下で2.5以下が得られた.耐熱性については, 膜を構成する化学結合の内, Si-O及びC-F_x結合が400℃までの耐熱性を有した.しかし, 膜中でネットワークの末端に存在するC-H_n結合が熱的に不安定であることが明らかになった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-12-10
著者
-
西野 茂
京都工芸繊維大学工芸学部
-
林 康明
京都工芸繊維大学大学院
-
白藤 立
京都大学
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学・工芸
-
林康 明
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
白藤 立
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
宮崎 康雄
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学
-
林 康明
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
-
Hayashi Yutaka
Device Synthesis Section Electrotechnical Laboratory
-
Hayashi Yuzo
Irie Koken Co. Ltd.
-
Hayashi Y
Irie Koken Co. Ltd. Saitama Jpn
-
白藤 立
京大
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