6. カーボンナノチューブ配向成長への直流バイアスの効果(<小特集>プラズマプロセスによるカーボンナノチューブ配向成長の現状と課題)
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概要
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The effect of negative direct-current bias on vertically aligned growth of carbon nanotubes by plasma-enhanced chemical vapor deposition is investigated. The experimental results showed that negative direct-current bias to a substrate enhanced the aligned growth of carbon nanotubes, due to the electrostatic attraction of the negatively charged tips of the carbon nanotubes toward the plasma in the strong sheath electric field. It was also shown that the accelerated positive ions in the strong sheath electric field affected the suppression of growth of catalytic metal particles by sputtering, thereby contributing to the formation of carbon nanotubes.
- 社団法人プラズマ・核融合学会の論文
- 2005-09-25
著者
-
林 康明
京都工芸繊維大学大学院
-
林康 明
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
林 康明
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
-
Hayashi Yutaka
Device Synthesis Section Electrotechnical Laboratory
-
Hayashi Y
Ricoh Co. Ltd. Kanagawa Jpn
-
Hayashi Yuzo
Irie Koken Co. Ltd.
-
Hayashi Y
Irie Koken Co. Ltd. Saitama Jpn
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