電子放出源のためのSiC被膜付き柱状Siの微細加工及びデバイス応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
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概要
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本研究では、金を堆積したパターン付きSi(111)基板上に、HCIを用いた化学気相輸送反応法によるVLS法により、柱状Siの選択成長を行った。柱状Siに、HMDS[Si_2(CH_3)_6]を用いて、常圧CVD法によりシリコン力ーバイド(SiC)被膜を行った。 SiC被膜付き柱状SHこ、マイクロ波支援DCプラズマCVD法を用いて、カーボンナノチューブ(CNT)の成長を行い、Si,SiC,CNTによるハイブリッド構造微細先鋭電子放出源を作製した。このハイブリッド構造電子放出源に電圧を印加し、電流電圧特性を測定した。また、柱状SiをRIE法およびスパッタ法により、先鋭化を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-12-09
著者
-
庄司 晃
京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻
-
西野 茂
京都工芸繊維大学工芸学部
-
林 康明
京都工芸繊維大学大学院
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学・工芸
-
林康 明
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
-
中田 崇
京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻
-
大城 裕介
京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻
-
奥井 陽一
京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻
-
大嶋 悟
京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学大学院電子情報工学専攻
-
西野 茂弘
京都工芸繊維大学
-
林 康明
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
-
Hayashi Yutaka
Device Synthesis Section Electrotechnical Laboratory
-
Hayashi Y
Ricoh Co. Ltd. Kanagawa Jpn
-
Hayashi Yuzo
Irie Koken Co. Ltd.
-
Hayashi Y
Irie Koken Co. Ltd. Saitama Jpn
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