Effects of Film Quality of Hydrogenated Amorphous Silicon Grown by Thermal Chemical-Vapor-Deposition on Subsequent in-situ Hydrogenation Processes
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人応用物理学会の論文
- 2000-06-15
著者
-
SEKIGAWA Toshihiro
Electrotechnical Laboratory
-
Sakata I
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. (aist) Ibaraki Jpn
-
Sakata Isao
Electron Devices Division Electrotechnical Laboratory
-
YAMANAKA Mitsuyuki
Electron Devices Division, Electrotechnical Laboratory
-
Sekigawa Toshihiro
Electron Devices Division Electrotechnical Laboratory
-
Sekigawa Toshihiro
Electroinformatics Group Nanoelectronics Research Institute National Institute Of Advanced Industria
-
Sekigawa T
Electron Devices Division Electrotechnical Laboratory
-
Yamanaka M
Electron Devices Division Electrotechnical Laboratory
関連論文
- 28aYL-3 LMD-Uにおけるプラズマ乱流の構造相図(プラズマ基礎(非線形現象・放電物理),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- 20aHT-3 タングステン単空孔での水素捕獲の第一原理計算(20aHT 領域10 格子欠陥・ナノ構造(水素,ナノ粒子,金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pTJ-1 LMD-Uにおける揺動駆動輸送の統計的性質(20pTJ プラズマ基礎(輸送・閉じ込め特性・放電理論),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 21pTE-10 乱流プラズマの非線形シミュレーションおよび数値計測シミュレータの開発(21pTE 核融合プラズマ(計測・制御技術),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 23pTJ-2 LMD-Uにおける揺動位相速度遷移のダイナミクス(23pTJ プラズマ基礎(非線形現象・強結合系),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 23pTJ-1 LMD-Uにおける密度及びポテンシャル揺動の非線形結合の解析(23pTJ プラズマ基礎(非線形現象・強結合系),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 27pSP-10 LMD-Uにおけるスペクトル遷移ダイナミクスの観測(27pSP プラズマ基礎(波動・加熱・不安定性・輸送・閉じ込め特性・非線形現象・プラズマ応用),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 23pZH-1 LMD-Uにおけるアルゴンプラズマにおける乱流遷移の観測(23pZH プラズマ基礎(乱流・不安定性・流れ),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 25pRE-4 直線プラズマにおけるメゾスケール構造の観測(プラズマ基礎(乱流・基礎プラズマ),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- Application of Monte Carlo Code to Large Mirror Device : Upgrade
- 25pRE-6 直線ECRプラズマにおけるドリフト不安定性とフルート不安定性の競合的振る舞い・II(プラズマ基礎(乱流・基礎プラズマ),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- 27pSP-9 直線円筒形ECRプラズマにおけるゾーナルフロー型振動の観測(27pSP プラズマ基礎(波動・加熱・不安定性・輸送・閉じ込め特性・非線形現象・プラズマ応用),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 25pRE-3 直線プラズマにおける二時刻二点相関法による乱流の二次元構造(プラズマ基礎(乱流・基礎プラズマ),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- Experimental Fabrication of XMOS Transistors Using Lateral Solid-Phase Epitaxy of CVD Silicon Films
- 23pWZ-10 第一原理によるタングステン空孔への水素捕獲に関する研究(23pWZ 格子欠陥・ナノ構造(金属,点欠陥,シュミレーション),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 25pQA-6 LMD-Uにおけるスペクトル遷移における揺動駆動粒子束の統計的性質(25pQA プラズマ基礎(プラズマ応用・非線形現象・原子過程・強結合),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 25pQA-5 直線プラズマにおけるドリフト波乱流シミュレーション : 密度分布と励起モード(25pQA プラズマ基礎(プラズマ応用・非線形現象・原子過程・強結合),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 25pQA-3 LMD-Uにおける揺動の非線形結合の磁場強度依存性(25pQA プラズマ基礎(プラズマ応用・非線形現象・原子過程・強結合),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 21aTE-6 内部輸送障壁におけるマルチスケールシミュレーション研究(21aTE 核融合プラズマ(輸送・閉じ込め(2)),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 28aYP-3 乱流計測シミュレータ計画とモデル(核融合プラズマ(磁場)(輸送モデリング),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- Coexistence of Zonal Flows and Drift-Waves in a Cylindrical Magnetized Plasma(Gases, plasmas, electric discharges, and beams)
- 22aZH-9 ドリフトテアリングモードに対する揺動ブートストラップ電流効果(22aZH 核融合プラズマ(MHD理論),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 26pYK-6 異方性弾性論にもとずく転位ループの研究(シミュレーション,転位,点欠陥・照射損傷),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 22aZH-1 スク***・オフ層におけるプラズマ・ブロップと対流輸送に関する非線形シミュレーション研究(22aZH 核融合プラズマ(乱流・輸送・閉じ込め理論),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 23pQF-9 帯状流による輸送のシーソー機構(核融合プラズマ(帯状流・GAM),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- In Situ Hydrogenation of Amorphous Silicon Prepared by Thermal Decomposition of Disilane
- Light-Induced Changes in Plasma-Deposited Hydrogenated Amorphous Silicon Prepared under Visible-Light Illumination Studied by a Constant Photocurrent Method
- Constant-Photocurrent-Method (CPM) Studies on Light-Induced Changes in Hydrogenated Amorphous Silicon
- Origin of the Reduction of Light-Induced Changes in Plasma-Deposited Hydrogenated Amorphous Silicon Prepared under Visible-Light Illumination
- Effect of Visible-Light Illumination on the Growing Surface of an a-Si:H Film in Plasma Decomposition of SiH_4
- Re-Examination of Carrier Trapping Models for Light-Induced Changes in Hydrogenated Amorphous Silicon
- Minority Carrier Lifetime in Laser Recrystallized Polysilicon
- Raman Scattering Studies on Hydrogenated Amorphous Silicon Prepared under High Deposition Rate Conditions
- Effects of Film Quality of Hydrogenated Amorphous Silicon Grown by Thermal Chemical-Vapor-Deposition on Subsequent in-situ Hydrogenation Processes
- Relationship between Carrier Diffusion Length and Light-Induced Defects in Hydrogenated Amorphous Silicon
- Spectroscopic Ellipsometry Studies on Ultrathin Hydrogenated Amorphous Silicon Films Prepared by Thermal Chemical Vapor Deposition
- Spectroscopic Ellipsometry for the Identification of Paracrystallites in the Ultra-Thin Thermal CVD Hydrogenated Amorphous Silicon Films
- FinFET-Based Flex-Vth SRAM Design for Drastic Standby-Leakage-Current Reduction
- Improved Metal Gate Process by Simultaneous Gate-Oxide Nitridation during W/WN_x Gate Formation
- Improved Metal Gate Process by Simultaneous Gate-Oxide Nitridation during W/WNx Gate Formation
- Fabrication of 40-150 nm Gate Length Ultrathin n-MOSFETs Using Epitaxial Layer Transfer SOI Wafers
- Fabrication of 40-150nm Gate Length Ultrathin n-MOSFETs Using ELTRAN SOI Wafers
- Growth of High-Mobility 3C-SiC Epilayers by Chemical Vapor Deposition : Semiconductors and Semiconductor Devices
- Photoluminescence of Unintentionally Doped and N-Doped 3C-SiC Grown by Chemical Vapor Deposition : Semiconductors and Semiconductor Devices
- Temperature Dependence of Electrical Properties of Nitrogen-Doped 3C-Sit
- High-Temperature Operation of Silicon Carbide MOSFET
- Annealing Effects on Al and AN-Si Contacts with 3C-SiC
- 22aZH-2 PARASOLコードによるトカマクのスク***・オフ層の熱伝導解析(22aZH 核融合プラズマ(乱流・輸送・閉じ込め理論),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- Improvement of SiO_2/4H-SiC Interface Using High-Temperature Hydrogen Annealing at Low Pressure and Vacuum Annealing
- Improvement of SiO2/4H-SiC Interface by Using High Temperature Hydrogen Annealing at 1000℃
- Optimization of the Body Bias Voltage Set (BBVS) for Flex Power FPGA(Reconfigurable Device and Design Tools,Reconfigurable Systems)
- Preliminary Evaluation of Flex Power FPGA : A Power Reconfigurable Architecture with Fine Granularity(Recornfigurable Systems)(Reconfigurable Systems)
- Effects of Optical Confinement in Textured Antireflection Coating using ZnO Films for Solar Cells
- 5.1 核融合プラズマにおけるマルチスケールシミュレーション(5.マルチスケールシミュレーション,マルチスケールでのプラズマ・壁相互作用の理解の現状)
- 27pRB-1 異方性弾性体中の転位ループおよびその相互作用エネルギー(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Absence of Correlation between Disorder and Defect Density in Hydrogenated Amorphous Silicon
- Optical and Electrical Properties of β-FeSi_2/Si, β-FeSi_2/InP Heterojunction Prepared by RF-Sputtering Deposition
- Simple Analytical Methods for Determining Optical Constants of Thin Films : Their Application to Amorphous Silicon
- 24aQF-4 スク***・オフ層におけるプラズマ・ブロッブの非線形シミュレーション研究(核融合プラズマ(輸送・閉じ込め理論),領域2,プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- C-V Characteristics of MOS Structures Fabricated of Al-Doped p-Type 3C-SiC Epilayers Grown on Si by Chemical Vapor Deposition
- Elongated shaped Si Island Formation on 3C-SiC by Chemical Vapor Deposition and Its Application to Antiphase Domain Observation
- Atomically Flat 3C-SiC Epilayers by Low Pressure Chemical Vapor Deposition
- Molecular Orientation Changes in Thin Solid Films of Long-Chain Compounds Induced by Thermal Treatment
- Morphological Change in Deposited Films of Calcium Stearate by Thermal Treatment
- A Novel Al/TiN/CVD-W Structure to Eliminate Resistance Anomaly in Deep Submicron Al/CVD-W Interconnects
- 24aYF-1 非等方性弾性体中の転位に対応する応力関数の研究(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- Compositional Effects on In Situ YBaCuO Films Grown at Low Oxygen Pressures
- Contact Hole Etch Scaling toward 0.1 μm
- Spatial and Temporal Behavior of Radicals in Inductively Coupled Plasm for SiO_2 Etching
- Highly Selective SiO2 Etching Using Inductively Coupled Plasma Source with a Multispiral Coil
- Radical Behavior in Inductively Coupled Fluorocarbon Plasma for SiO2 Etching
- RIE-Lag Reduction by NH_3 Addition in Aluminum Alloy Etching under BCl_3/Cl_2 Chemistry
- Poloidal Flow Generated by Drift-Tearing Mode(Gases, plasmas, electric discharges, and beams)
- Electrical Properties of YBa_2Cu_3O_y at High Temperatures
- 25pGZ-5 PANTAにおけるトリプルプローブ法による電子温度揺動計測(25pGZ プラズマ基礎(乱流・非線形現象・非中性プラズマ),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 26pGW-2 非両極性電場中における強制磁気リコネクションに関する理論解析(26pGW 核融合プラズマ(輸送・閉じ込め特性(3)),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 26pGW-1 乱流計測シミュレータを用いた巨視的モード構造検出法について(26pGW 核融合プラズマ(輸送・閉じ込め特性(3)),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 26aGW-9 スク***・オフ層における、プラズマ・ブロッブによる非局所的径方向輸送のシミュレーション研究(26aGW 核融合プラズマ(輸送・閉じ込め特性(2)),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 25pGZ-7 LMD-Uにおけるスペクトル遷移領域の揺動の非線形結合度の観測(25pGZ プラズマ基礎(乱流・非線形現象・非中性プラズマ),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 25pGZ-6 LMD-Uにおける孤立波の非線形発展(25pGZ プラズマ基礎(乱流・非線形現象・非中性プラズマ),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 25pGZ-4 PANTA装置におけるプラズマ乱流研究の現状(25pGZ プラズマ基礎(乱流・非線形現象・非中性プラズマ),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- Suppression of Resistance Increase in Al/W Interconnects by N_2 Plasma Treatment
- Characteristics of Three-μm-Thick Silicon Solar Cells Using Bonded Silicon-on-Insulator Wafer
- Surface Passivation of Thin Silicon Solar Cells Using Silicon-on-Insulator Wafer
- Poloidal flow generated by tearing mode
- Electrical Properties of Bi_2Sr_2Ca_Y_xCu_2O_y at High Temperatures
- Preparation of Y-Ba-Cu-O Superconducting Thin Film by Chemical Vapor Deposition : Electrical Properties of Condensed Matter
- Electrical Properties of Eu_Ba_Cu_3O_y at High Temperatures : Electrical Properties Condensed Matter
- 21aGQ-1 BCC金属空孔と水素の結合エネルギーおよび安定構造(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- ペタフロップスコンピューティング, 地球シミュレータを原点に"和"のスパコンを求めて, 矢川元基監修, 谷啓二・奥田洋司・福井義成・上島豊編書, 培風館, 2007年, 270ページ, ISBN978-4-563-01571-8, C3004
- High-Frequency Precise Characterization of Intrinsic FinFET Channel
- A 0.7-V Opamp in Scaled Low-Standby-Power FinFET Technology
- 25aYE-6 PANTAにおけるエンドプレートバイアスの乱流運動量束に対する効果(25aYE プラズマ基礎(乱流・非線形現象・放電物理),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- 25aYE-4 PANTAにおけるエンドプレートバイアス実験の乱流スペクトル解析(25aYE プラズマ基礎(乱流・非線形現象・放電物理),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- 25aYE-3 PANTAにおけるバイアス実験の数値シミュレーション : 揺動の時空間構造(25aYE プラズマ基礎(乱流・非線形現象・放電物理),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- 25aYE-2 PANTAにおけるバイアス実験の数値シミュレーション : 飽和機構と分岐(25aYE プラズマ基礎(乱流・非線形現象・放電物理),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- 25aYE-1 PANTAにおけるエンドプレートバイアスによる外部径電場制御(25aYE プラズマ基礎(乱流・非線形現象・放電物理),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理)
- 18aFA-9 周辺乱流シミュレーションにおける弾道的な伝搬現象(18aFA 核融合プラズマ(数値解析・シミュレーション),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 18pFA-6 乱流計測シミュレータを用いたソース変調に対するプラズマの非局所応答(18pFA 核融合プラズマ(輸送・閉じ込め特性・分光),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 21aFA-3 直線磁化プラズマにおける抵抗性ドリフト波乱流の揺動とその高次モーメントの確率密度関数(21aFA プラズマ基礎(乱流,輸送,多階層結合,粒子加速),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))