間宮 恒 | 立命館大学理工学部
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概要
関連著者
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北村 健
立命館大学理工学部
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荒木 努
立命館大学 理工学部
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名西 〓之
立命館大学 理工学部
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立命館大学
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間宮 恒
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丸山 隆浩
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山下 直樹
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上野 朝隆
立命館大学理工学部
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山田 良
立命館大学理工学部
著作論文
- ECR-MBE法を用いた(001)ルチル型TiO_2基板上立方晶GaN成長 : エピキタシャル成長II
- ECR-MBE法によるZnO/Si基板上多結晶GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
- ECR-MBE法によるZnO/Si基板上多結晶GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
- ECR-MBE法によるZnO/Si基板上多結晶GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
- ECR-MBE法を用いたパターニング基板上多結晶GaN成長の検討 : エピキタシャル成長II