加野 賢二 | 立命館大学理工学部

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概要

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• 立命館大学理工学部の論文著者

関連著者

• 加野 賢二

  立命館大学理工学部

• 山口 智広

  立命館大学r-giro推進機構

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  立命館大学 理工学部

• 名西 〓之

  立命館大学

• 山口 智広

  立命館大学総合理工学研究機構

• 荒木 努

  立命館大学 理工学部

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• 鈴木 彰

  立命館大学 総合理工学研究機構

• 齋藤 義樹

  立命館大学理工学部

• 荒木 努

  立命館大学理工学部

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  立命館大学理工学部

• 寺口 信明

  シャープ基盤技術研究所

• 鈴木 彰

  (株)ダイフク

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  立命館大学理工学部光工学科

• 荒木 務

  立命館大学理工学部光工学科

• 鈴木 彰

  シャープ(株)中央研究所

• 寺口 信明

  シャープ (株) 技術本部 基盤技術研究所

• 鈴木 彰

  シャープ (株) 技術本部 基盤技術研究所

• 寺口 信明

  シャープ(株)技術本部基盤技術研究所

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著作論文

• RF-MBE法を用いた高In組成In_xGa_Nの結晶成長と特性評価(III族窒化物研究の最前線)
• RF-MBE法を用いた高In組成In_xGa_1-xNの結晶成長と特性評価(III族窒化物研究の最前線)
• RF-MBE成長InN膜の表面構造と電気的特性
• RF-MBE法を用いた高In組成In_xGa_1-xNの結晶成長と特性評価(III族窒化物研究の最前線)
• RF-MBEによるSiC基板上GaN成長における水素添加効果
• RF-MBE法によるSiC基板上GaN成長における水素添加効果

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