ECR プラズマ励起 MBE 法による化合物半導体の結晶成長機構 : エピタキシー I
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概要
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- 日本結晶成長学会の論文
- 1996-07-10
著者
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近藤 直人
Ntt光エレクトロニクス研究所
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千葉 恭男
立命館大学理工学部
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名西 〓之
立命館大理工
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柴田 知尋
Ntt光エレクトロニクス研究所
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加藤 光司
立命館大理工
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千葉 恭男
立命館大理工
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山本 知生
NTT光エレクトロニクス研究所
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千葉 恭男
立命館大学理工学部光工学科
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