ECRプラズマ励起MBE(ECR-MBE)法によるGaAsエピタキシャル成長 : エピタキシーII

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概要

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• 日本結晶成長学会の論文
• 1987-07-10

著者

• 名西 〓之

  厚木研究所

• 近藤 直人

  Ntt光エレクトロニクス研究所

• 近藤 直人

  NTT電気通信研究所

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