ECR水素プラズマクリーニングしたGaAs基板上へのAlGaAs/GaAs量子井戸直接成長

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概要

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ECR水素プラズマクリーニングしたGaAs基板上にバッファ層を設けずに、直接AlGaAs,GaAs量子井戸を成長した。その結果、通常の熱クリーニング法に比べ低温のフォトルミネッセンス強度は大きく、半値幅も小さくなることが分かった。また、AFMとSIMSの測定結果から、プラズマクリーニングすることによって表面荒さは約1/7、界面の不純物蓄積も1/100以下に減少していることが分かった。プラズマクリーニングで得られる平坦で清浄な表面により、その上の成長層の品質が向上する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-11-19

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