6p-F-1 Se単結晶の圧電気効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1964-10-05
著者
関連論文
- PLZT薄膜のエピタキシャル成長 : エピタキシー(VPE)
- GaAs基板上へのZnSeの気相成長 : エピタキシー(VPE)
- 気相法によるZnSeのヘテロエビタキシー : エピタキシー
- CdTeの液相エピタキシャル成長 : エピタキシー (LPE, VPE)
- 電子ビーム蒸着法によるPZT薄膜の作成 : 気相成長
- RFスパッタリングによるPLZT薄膜の作成
- BaTiO_3磁器半導体の電気抵抗(誘電体)
- p-CdSbの不純物伝導領域における電流磁気効果 : 半導体 (下純物)
- 化合物半導体CdSbのデンドライト : 結晶成長
- 14a-K-8 CdSbの負の磁気抵抗
- 5a-G-3 p-CdSbの低温における電気的性質の異方性
- CdSbの電気的性質の異方性(半導体(化合物))
- CdSbのピエゾ抵抗効果(半導体(電流,磁気,歪))
- 4p-A-1 CdSb表面のEtch Pattern
- CdSbの電気的性質 : 半導体
- 14a-A-2 ゲルマニウム蒸着薄膜の電気的性質
- Teの導電率不安定性 : 半導体(不安定性)
- セレン単結晶の電気伝導 : 半導体(半金属)
- テルルの高電界効果の異方性 : 半導体(半金属)
- 6p-F-1 Se単結晶の圧電気効果
- 単結晶Seの生成 : 半導体
- SiC熱酸化膜のオ-ジェ電子分光分析
- 多結晶Si薄膜の製作 : エピタキシー(VPE)
- 6H-SiCの気相成長 : エピタキシー(VPE)
- SiCの熱酸化 : 欠陥
- α-SiCの気相成長 : エピタキシー
- 多結晶Si薄膜の製作 : エピタキシー
- α-SiCの気相成長 : エピタキシー (LPE, VPE)
- ディップ法による6H-SiCの液相エピタキシャル成長 : エピタキシー (LPE, VPE)
- CVD法によるα-SiCのエピタキシャル成長
- β-SiCの気相成長
- SiCの気相成長 : エピタクシー
- 12a-H-8 p-CdSbの極低温における高電界効果
- Cd_3As_2の電気的性質 : 半導体(化合物・音波)
- 5a-G-5 Cd_3As_2のホール効果
- 3p-G-5 化合物半導体Cd_3As_2単結晶作成とその性質
- II-V化合物半導体Cd_3As_2の結晶成長 : 半導体 : 結晶成長
- SiC熱酸化膜の生成機構 : 気相成長
- SbSIおよびSbSeIの性質 : 誘電体
- 11a-L-1 ロッシェル塩に対するγ線照射の影響 II
- CdCl_2溶液からMo基板上に析出したCdSのモルフォロジー : モルフォロジー
- 強誘電体セラミック素子
- 7p-Q-4 半導体テルル蒸着膜の性質
- 3p-GC-6 MIM系トンネル接合を流れる電流密度の電圧依存性
- 12p-K-8 Cd_3As_2の電気的性質
- CdSの磁気抵抗効果 : 半導体(化合物)
- 高純度材量部門委員会の発足にあたって
- 3a-D-2 強誘電性半導体に於ける圧抵抗
- 11p-L-5 強誘電性半導体に於ける異常抵抗特性の發生機構
- 20M-6 強誘電体の非直線性とその応用
- RFスパッタリングによるPLZT薄膜の作成
- SiC熱酸化膜のオージェ電子分光分析
- 電子・通信・情報の世界を変えるLSIエレクトロニクス