11a-L-1 ロッシェル塩に対するγ線照射の影響 II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1959-10-08
著者
関連論文
- NaI(Tl)シンチレーターのγ線照射による損傷 : VII-VIII. 放射線物理,放射線物理シンポジウム : 放射線物理
- 気相法によるZnSeのヘテロエビタキシー : エピタキシー
- CdTeの液相エピタキシャル成長 : エピタキシー (LPE, VPE)
- 4p-A-1 CdSb表面のEtch Pattern
- CdSbの電気的性質 : 半導体
- 14a-A-2 ゲルマニウム蒸着薄膜の電気的性質
- Teの導電率不安定性 : 半導体(不安定性)
- 6p-F-1 Se単結晶の圧電気効果
- 単結晶Seの生成 : 半導体
- 多結晶Si薄膜の製作 : エピタキシー(VPE)
- 6H-SiCの気相成長 : エピタキシー(VPE)
- α-SiCの気相成長 : エピタキシー
- 多結晶Si薄膜の製作 : エピタキシー
- α-SiCの気相成長 : エピタキシー (LPE, VPE)
- ディップ法による6H-SiCの液相エピタキシャル成長 : エピタキシー (LPE, VPE)
- 強誘電性半導体に影響する諸因子 : XIX. 誘電体
- 18K-12 Plastic Scintillatorに對するγ線照射の影響
- 18K-12 Plastic Scintillatorに對するγ線照射の影響
- 16D-15 Triglycine Sulfateに對するγ線照射の影響
- 強誘電体とその応用(II)
- SbSIおよびSbSeIの性質 : 誘電体
- 11a-L-1 ロッシェル塩に対するγ線照射の影響 II
- CdCl_2溶液からMo基板上に析出したCdSのモルフォロジー : モルフォロジー
- 3a-D-2 強誘電性半導体に於ける圧抵抗
- 11p-L-5 強誘電性半導体に於ける異常抵抗特性の發生機構
- 20M-6 強誘電体の非直線性とその応用
- 強誘電体国際会議報告
- 表面障壁形半導体放射線検出器
- 3C-5 ロッシエル塩に対するγ線照射の影響(放射線物理)