中村 初夫 | 大阪電通大工
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概要
関連著者
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中村 初夫
大阪電通大工
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中村 初夫
大阪電通大
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岩見 基弘
岡山大理
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平井 正明
岡山大学自然科学研究科
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日下 征彦
岡山大学自然科学研究科
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平井 正明
岡山大理
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日下 征彦
岡山大理
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渡部 宏邦
松下電器産業(株)
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塘 賢二郎
摂南大・工
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塘 賢二郎
大阪府大・工
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山内 庄一
日本電装基礎研究所
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渡辺 宏邦
松下電器
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越川 孝範
大阪電通大
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安江 常夫
大阪電通大
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横田 康広
岡山理大理
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横田 康広
岡山理大・理
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中村 初夫
大阪電気通信大学・工学部
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渡部 宏邦
(株)松下電器産業
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山内 庄一
岡山大理
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岩見 基弘
岡大物理
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Park C.
全北大
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市川 公一
阪南大・工
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市川 公一
大阪府大・工
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松波 弘之
京大工
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横田 康広
岡山理科大学・自然研
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横田 康広
岡山理科大
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渡辺 剛
国士舘大学・体育学部
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芝原 健太郎
京大工
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中村 初夫
大阪電気通信大学
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鎌田 雅夫
分子研
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奥沢 誠
阪府大工
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藤井 達也
岡山大学・理学部・附属界面科学研究施設
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平井 正明
岡山大学・理学部・附属界面科学研究施設
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日下 征彦
岡山大学・理学部・附属界面科学研究施設
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岩見 基弘
岡山大学・理学部・附属界面科学研究施設
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笠谷 恵
岡山大理
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山内 庄一
日本電装
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山内 庄一
岡山大 理
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平井 正明
岡山大 理
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日下 征彦
岡山大 理
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岩見 基弘
岡山大 理
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秋山 昭次
(株)クラレ
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永山 進
(財)材料科学技術振興財団
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C Park
全北大
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城戸 義明
立命館大理工
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永山 進
材料科学財団
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工藤 正博
材料科学財団
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中井 俊一
宇都宮大工
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市川 公一
大阪府大工
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塘 賢二郎
東北大工
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渡辺 剛
東北大工
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塘 賢二郎
大阪府立大学・工学部
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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中井 俊一
宇都宮大・工
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杉浦 主税
宇都宮大・工・応物
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渡辺 剛
東北大・工
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澤田 昌雄
阪大理
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城戸 義明
立命館大 理工
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杉浦 主税
宮城教育大
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沢田 昌雄
阪大
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湧川 祐一
大阪電気通信大学工学部電子材料工学科
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会田 修
大阪府大・工
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鎌田 雅夫
大阪府大・工
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奥沢 誠
大阪府大・工
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川口 雅之
大阪電通大
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谷口 一雄
大阪電通大
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冨田 彰宏
阪電通大工
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中森 広雄
神戸常盤短大
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中井 俊一
大阪府立大工
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中森 広雄
大阪府立大工
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富田 彰宏
大阪府立大工
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中村 初夫
大坂電通大
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富田 彰宏
大阪府大・工
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湧川 祐一
大阪電通大工
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中村 初夫
阪電通大工
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Park C
全北大
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冨田 彰宏
大電通大工
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中村 初夫
大電通大工
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中井 俊一
大阪府立大学工学部
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富田 彰宏
大阪府立大学工学部
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中森 広雄
大阪府立大学工学部
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渡部 宏邦
松下電器産業 (株)
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岩見 基弘
岡山大学・理学部
著作論文
- 遷移金属(薄膜)-Si(基板)系における(埋もれた)界面の電子状態とその構造
- 12a-DC-6 Feシリサイド価電子帯の軟X線分光法による評価
- 27a-ZS-10 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存症 (II) : 高温熱処理により形成されるシリサイド層の評価
- 27a-ZD-6 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存性
- 29p-BPS-55 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程II
- 27a-L-4 Ca, Sc金属のL_放射および吸収スペクトル
- 1p-U-9 遷移金属塩化物のClL_放射スペクトル
- 29a-O-2 SXSによる表面層非破壊分析
- 2a-M-2 蛍光励起による Li およびその化合物の LiK 放射スペクトル (I)
- 10p-T-10 遷移金属化合物の金属のM^ 吸収
- 25p-W-10 Niシリサイドの価電子帯軟X線放射スペクトル
- 26a-YK-4 グラファイト様層状B/C/Nの軟X線発光スペクトル
- 2p-G-1 光源走査型回折格子分光装置
- 軟X線分光法の薄膜・界面非破壊分析への新しい応用
- 2p-P-11 NiSi_2の価電子帯構造 : フェルミ端でのSi(3s)電子状態
- 薄膜/シリコン基板の軟X線発光分光法による非破壊深さ分析
- 27a-ZS-6 中速イオン散乱法によるCu/Si(111)の「かくれた」界面構造の観察
- 30a-F-4 MgO単結晶のTSEEとTL
- 2p-K3-4 高速イオン散乱法によるSiC-Si表面層・界面構造(表面・界面)