永山 進 | (財)材料科学技術振興財団
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概要
関連著者
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永山 進
(財)材料科学技術振興財団
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安江 常夫
大阪電通大
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越川 孝範
大阪電通大
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Park C.
全北大
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工藤 正博
東京工業大学工業材料研究所
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高野 明雄
(財)材料科学技術振興財団
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城戸 義明
立命館大理工
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永山 進
材料科学財団
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工藤 正博
材料科学財団
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工藤 正博
材料科学技術振興財団
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中村 初夫
大阪電通大
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C Park
全北大
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城片 義明
立命館大理工
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永山 進
材料科学技術財団
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中村 初夫
大阪電通大工
著作論文
- 表面分析講座-14-2次イオン質量分析法(SIMS)
- 投影型二次イオン質量分析装置を用いた微小領域測定における制限視野法の効果(表面・界面・薄膜と分析化学)
- 二次イオン質量分析法による窒化アルミニウム焼結体の酸素二次イオン像の観察(表面・界面・薄膜と分析化学)
- 29p-BPS-55 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程II
- 24a-PS-38 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程
- 2次イオン質量分析法によるセラミックス材料の局所観察 (キャラクタリゼ-ション技術の新しい展開--ナノ-サブナノ領域材料評価技術)
- 4a-PS-36 中速イオン散乱分光法によるCu/Si(111)の成長過程
- パルスイオンビ-ムを用いた計測・評価法--飛行時間型SIMSへの応用 (材料性能評価のためのパルス計測技術(技術ノ-ト))
- 二次イオン質量分析技術 -浅い接合測定技術-