Park C. | 全北大
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
安江 常夫
大阪電通大
-
越川 孝範
大阪電通大
-
Park C.
全北大
-
永山 進
(財)材料科学技術振興財団
-
城戸 義明
立命館大 理工
-
Park C
全北大
-
中村 初夫
大阪電通大
-
城戸 義明
立命館大理工
-
永山 進
材料科学財団
-
工藤 正博
材料科学財団
-
中村 初夫
大阪電通大工
-
工藤 正博
材料科学技術振興財団
-
C Park
全北大
-
城片 義明
立命館大理工
-
永山 進
材料科学技術財団
著作論文
- 29p-BPS-55 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程II
- 24a-PS-38 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程
- 4a-PS-36 中速イオン散乱分光法によるCu/Si(111)の成長過程
- 27a-ZS-6 中速イオン散乱法によるCu/Si(111)の「かくれた」界面構造の観察
- 25p-Y-10 高温におけるCu/Si(111)の成長過程 : MEIS, RHEED, AES
- 29p-PS-9 中エネルギーイオン散乱法によるCu/Si(111)の成長初期過程の研究