25p-W-10 Niシリサイドの価電子帯軟X線放射スペクトル
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1991-03-11
著者
-
平井 正明
岡山大学自然科学研究科
-
日下 征彦
岡山大学自然科学研究科
-
平井 正明
岡山大理
-
日下 征彦
岡山大理
-
岩見 基弘
岡山大理
-
中村 初夫
大阪電通大
-
山内 庄一
岡山大理
-
山内 庄一
日本電装基礎研究所
-
中村 初夫
大阪電通大工
関連論文
- 23pHL-2 VO_2薄膜金属相の角度分解光電子分光(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
- 26aXA-4 VO_2薄膜の角度分解光電子分光測定(光電子分光(表面・薄膜・低次元物質I),領域5,光物性)
- Cu/3C-SiC接合系の界面評価
- 走査トンネル顕微鏡を用いた4H-SiC(0001)再構成表面の評価
- 22pYH-12 Extended X-ray Emissionの位相因子の解析
- 25aWB-13 STMによる4H-SiC(0001)√×√構造の観察及び評価
- 28p-S-10 モンテカルロシミュレーションを利用したシリサイド2層膜系の定量分析
- 29p-ZC-2 局所尺度変換を用いた密度汎関数理論 : 固体物理への応用
- 遷移金属(薄膜)-Si(基板)系における(埋もれた)界面の電子状態とその構造
- 29a-PS-17 角度分解光電子分光法による6H-SiC(0001)Si
- 遷移金属(薄膜)/Si(基板)系の構造及び電子状態
- シリサイド/Si接合系からの電子線励起Si-L_線 : シミュレーションと実験
- 軟X線放出分光法によるMnシリサイドの価電子帯構造に関する研究
- Si(100)2×1表面上のPd初期吸着過程
- 12a-DC-6 Feシリサイド価電子帯の軟X線分光法による評価
- 13a-DF-11 エピタキシャルβ-FeSi_2薄膜の電気的特性
- 28a-Z-9 遷移金属/Si系の界面形成初期過程の研究
- Si基板上へのSiC-Buffer層の成長 : 気相成長I
- 27p-ZS-7 シンクロトロン放射光を用いた室温におけるSi(100)2x1表面上のPd初期吸着過程の研究
- 27a-ZS-10 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存症 (II) : 高温熱処理により形成されるシリサイド層の評価
- 30a-L-3 GTC-CVD法によるエピタキシャルAl/Si(111)界面の断面TEM観察
- 27a-ZD-6 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存性
- 29p-BPS-55 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程II
- 4a-B4-5 金属(M)/Si(111)系の室温界面反応 : M-Si接合
- 30a-D-12 Au-Si(111)系の表面電子状態
- 1p-S-10 Au/Si(111)の光電子分光
- 27a-L-4 Ca, Sc金属のL_放射および吸収スペクトル
- 1p-U-9 遷移金属塩化物のClL_放射スペクトル
- 23aXB-4 Si(111)7×7表面上における極薄Au層の成長過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18aTA-2 局所尺度変換を用いた密度汎関数理論における運動エネルギー汎関数
- 金属シリサイド/Si接合系の軟X線放出分光法SXESによる深さ方向非破壊分析
- 30p-W-10 NiSi_2/Siにおける界面効果
- 24pZB-7 SiC半導体検出器の分光感度測定(半導体検出器,素粒子論)
- 25pXA-11 SiC半導体粒子検出器の研究・開発
- 30pZA-5 SiC半導体粒子検出器の研究・開発(半導体検出器)(素粒子実験)
- 29a-O-2 SXSによる表面層非破壊分析
- 6p-C-6 超高圧低温下のICTS法による化合物半導体中の深い不純物準位の研究(I)
- 28p-D-9 Si上のNiシリサイド薄膜の電流磁気効果2
- 27p-M-5 Si上のNiシリサイド薄膜の電流磁気効果
- 2a-M-2 蛍光励起による Li およびその化合物の LiK 放射スペクトル (I)
- CdS単結晶の表面状態 : 半導体 (表面)
- 3a-E-7 電子分光法(AES,EELFS)による炭素上のNi微粒子の研究
- 10p-T-10 遷移金属化合物の金属のM^ 吸収
- 25p-W-10 Niシリサイドの価電子帯軟X線放射スペクトル
- 26a-YK-4 グラファイト様層状B/C/Nの軟X線発光スペクトル
- 光子・電子分光法による界面電子状態評価
- サマリー・アブストラクト
- 2p-G-1 光源走査型回折格子分光装置
- 軟X線分光法の薄膜・界面非破壊分析への新しい応用
- 2p-P-11 NiSi_2の価電子帯構造 : フェルミ端でのSi(3s)電子状態
- 軟X線分光法とシリコン化合物・薄膜系
- 軟X線分光法による表面層非破壊分析
- 高速イオン散乱法 (RBS)
- 26pEC-3 CeT_2Al_(T=Fe,Os)の光電子分光(26pEC Cel-2-10系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 薄膜/シリコン基板の軟X線発光分光法による非破壊深さ分析
- 27a-ZS-6 中速イオン散乱法によるCu/Si(111)の「かくれた」界面構造の観察
- 30a-F-4 MgO単結晶のTSEEとTL
- GaAsおよびInP MOS ダイオ-ドの容量特性と半導体の圧電性
- 2a-N-1 CdS単結晶表面の性質
- AlSb単結晶の電気的性質 : 半導体 (化合物, その他)
- 30p-H-15 Ag-Si(111)_2×1の光電子分光(表面・界面)
- 2p-K3-4 高速イオン散乱法によるSiC-Si表面層・界面構造(表面・界面)
- 29a-TJ-8 金属-半導体界面形成初期過程 : Tm-Si(111)2x1(29aTJ 表面・界面)