CdS単結晶の表面状態 : 半導体 (表面)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1969-03-30
著者
関連論文
- Cu/3C-SiC接合系の界面評価
- 走査トンネル顕微鏡を用いた4H-SiC(0001)再構成表面の評価
- 22pYH-12 Extended X-ray Emissionの位相因子の解析
- 25aWB-13 STMによる4H-SiC(0001)√×√構造の観察及び評価
- 28p-S-10 モンテカルロシミュレーションを利用したシリサイド2層膜系の定量分析
- 29p-ZC-2 局所尺度変換を用いた密度汎関数理論 : 固体物理への応用
- 遷移金属(薄膜)-Si(基板)系における(埋もれた)界面の電子状態とその構造
- 29a-PS-17 角度分解光電子分光法による6H-SiC(0001)Si
- 遷移金属(薄膜)/Si(基板)系の構造及び電子状態
- シリサイド/Si接合系からの電子線励起Si-L_線 : シミュレーションと実験
- 軟X線放出分光法によるMnシリサイドの価電子帯構造に関する研究
- Si(100)2×1表面上のPd初期吸着過程
- 12a-DC-6 Feシリサイド価電子帯の軟X線分光法による評価
- 13a-DF-11 エピタキシャルβ-FeSi_2薄膜の電気的特性
- 28a-Z-9 遷移金属/Si系の界面形成初期過程の研究
- Si基板上へのSiC-Buffer層の成長 : 気相成長I
- 27p-ZS-7 シンクロトロン放射光を用いた室温におけるSi(100)2x1表面上のPd初期吸着過程の研究
- 27a-ZS-10 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存症 (II) : 高温熱処理により形成されるシリサイド層の評価
- 30a-L-3 GTC-CVD法によるエピタキシャルAl/Si(111)界面の断面TEM観察
- 27a-ZD-6 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存性
- 4a-B4-5 金属(M)/Si(111)系の室温界面反応 : M-Si接合
- 29a-O-2 SXSによる表面層非破壊分析
- 6p-C-6 超高圧低温下のICTS法による化合物半導体中の深い不純物準位の研究(I)
- CdS単結晶の表面状態 : 半導体 (表面)
- 3a-E-7 電子分光法(AES,EELFS)による炭素上のNi微粒子の研究
- 半導体の空間電荷制限電流 II : 半導体 : ダイオード,不安定
- 8p-F-9 半導体のゆらぎについて
- 25p-W-10 Niシリサイドの価電子帯軟X線放射スペクトル
- サマリー・アブストラクト
- 2p-P-11 NiSi_2の価電子帯構造 : フェルミ端でのSi(3s)電子状態
- 11a-M-10 Ge電流雜音の光による影響
- GaAsおよびInP MOS ダイオ-ドの容量特性と半導体の圧電性
- 2a-N-1 CdS単結晶表面の性質
- AlSb単結晶の電気的性質 : 半導体 (化合物, その他)