半導体の空間電荷制限電流 II : 半導体 : ダイオード,不安定
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1966-10-12
著者
関連論文
- CdS単結晶の表面状態 : 半導体 (表面)
- 12a-K-16 P型Si p-i-n構造における二重柱入(III)
- 半導体の空間電荷制限電流 II : 半導体 : ダイオード,不安定
- 半導体の空間電荷制限電流について : 半導体(ダイオード)
- 8p-F-9 半導体のゆらぎについて
- 4p-A-13 Siの雑音と少数担保の寿命(II)
- 雑音によるSiのlife timeの測定 : 半導体
- 11a-M-10 Ge電流雜音の光による影響
- 2a-N-1 CdS単結晶表面の性質
- AlSb単結晶の電気的性質 : 半導体 (化合物, その他)