軟X線分光法とシリコン化合物・薄膜系
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概要
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物質に電子を入射させると, 内殻電子の励起によりX線 (光子) が放出されることがある.軟X線分光法とは1〜50nm付近の波長領域の分光学で, 固体の場合, 価電子帯の電子状態を調べるのに適している. とくに, 光の放射や吸収を伴う遷移の選択則により, 価電子帯の電子状態を, 波動関数の対称性に分けて明きからかすることが可能である.ここでは, 新しい軟X線分光装置の製作と, シリコン化合物 (遷移金属シリサイドなど) の価電子状態, および, 薄膜接合系についての軟X線分光法による研究から得られる知見を中心に報告する.
- 日本真空協会の論文
著者
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平井 正明
岡山大学理学部界面科学研究室
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日下 征彦
岡山大学理学部界面科学研究室
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中村 初夫
大阪電気通信大学・工学部
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岩見 基弘
岡山大理
-
渡部 宏邦
松下電器産業(株)
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岩見 基弘
岡山大学理学部
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河合 政夫
(株) 島津製作所
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副島 啓義
(株) 島津製作所
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日下 征彦
岡山大学理学部
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平井 正明
岡山大学理学部
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渡部 宏邦
松下電器産業 (株)
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中村 初夫
大阪電気通信大学
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