金属シリサイド/Si接合系の軟X線放出分光法SXESによる深さ方向非破壊分析
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概要
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金属シリサイド, Si接合系の評価に軟X線放出分光法を用いることにより化学結合状態に起因する価電子帯構造の情報を得た。特に、入射電子線エネルギーを変化させることにより電子の拡散領域を制御し深さ方向非破壊分析を実現した。また、この手法を面方位の異なるSi基板上に形成されたNiシリサイド層の評価に適応した。Si(111)基板上で熱処理温度750℃で成長したNiシリサイド膜はNiSiとNiSi_2が混在したもので、それに対して同じ条件でSi(100)基板上に成長したNiシリサイド膜はNiSiと未反応のSi領域が混在していることが明らかになった。これらの構造についてはTEM,及びSEM観察からも確認している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-20
著者
-
岩見 基弘
岡山大学理学部界面科学研究室
-
岩見 基弘
岡山大理
-
服部 正
日本電装(株)基礎研究所
-
岩見 基弘
岡大物理
-
岩見 基弘
岡山大学理学部
-
服部 正
日本電装基礎研究所
-
山内 庄一
日本電装基礎研究所
-
大島 久純
日本電装基礎研究所
-
服部 正
日本電装 基礎研
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