C-12-31 冗長多値ロジックを用いた10Gb/s CMOS DEMUX IC
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-03-07
著者
-
田辺 昭
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
古川 昭雄
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
最上 徹
Nec シリコンシステム研究所
-
田辺 昭
NECシリコンシステム研究所
-
中原 寧
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
-
最上 徹
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
古川 昭雄
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
-
中原 寧
先端デバイス開発本部
-
最上 徹
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
中原 寧
NEC Electronics Corporation
-
最上 徹
Necシステムデバイス研究所
-
中原 寧
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
-
中原 寧
Necエレクトロニクス
関連論文
- 40nm low standby power CMOS技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- マルチメディア時代へ向けた高速光通信用Si-ICの開発
- 2.4Gb/s光通信用MOS-プリアンプIC
- ギガビット動作CMOS-DEMUX
- TiSi_2 膜形成における Si表面アモルファス化の効果とSEDAM法
- C-3-5 ハイブリッド集積SOAG小型モジュールの光スイッチング特性
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- 並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価
- C-12-31 冗長多値ロジックを用いた10Gb/s CMOS DEMUX IC
- Ku帯オンチップマッチシリコンMOSFET MMIC
- C-2-30 Ku帯オンチップマッチSi MOSFET MMIC
- 微細MOSFETを用いたSPSTスイッチ
- 2.4Gb/s CMOSワンチップ光通信受信IC
- 2.4Gb/s CMOS1チップ光受信器
- シリコン上のスパイラルインダクタのモデリング
- 0.15μm CMOS技術による3Gb/sマルチプレクサと11.8GHzプリスケーラ回路の開発
- 2.4Gb/s CMOSクロックリカバリ機能付き1:8DMUX
- ギガヘルツ動作CMOS光通信用IC
- 超高速シリコシLSIの課題と展望
- 3Gb/s CMOS 8:1マルチプレクサ
- 高耐雑音、適応型ゲインVCOを用いた0.18μm CMOSホットスタンバイPLL
- Wide-range V_動作に適した65nm CMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ラジカル酸窒化法を用いたSTI端近傍のグート絶縁膜改善による高性能・高信頼サブ1.5nmグート酸窒化膜形成
- 高性能システム・オン・チップを実現する最先端CMOSプロセス「UX5」 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- C-11-2 垂直電界に関するバルクMOSFETとSOI-MOSFETの比較
- 素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_向上効果に与える影響
- 素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_向上効果に与える影響
- 真性チャネルSOI-MOSFETのV_ばらつきに対する電界の二次元効果の影響
- ストライプトゲート真性半導体チャネルSOI-MOSFETのしきい値制御に関するシミュレーション
- 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 最先端リソグラフィー技術と Gate-first MG/HK プロセス技術を用いたコスト競争力のある32nm世代 CMOS Platform Technology
- 並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価
- 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 26aWZ-6 3次元アトムプローブと陽電子消滅法によるイオン注入不純物の拡散挙動解析(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- SoC性能評価関数を用いた最適マルチ・トランジスタ・パラメータ設計の決定手法
- ポリSi/SiO_2からのボロン拡散による浅い接合を有するPMOSFETの特性
- p^+ポリシリコンゲートMOS構造における極薄ゲート酸化膜信頼性
- [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 不均一垂直不純物分布によるMOSFETのしきい値ばらつき制御
- 不均一垂直不純物分布によるMOSFETのしきい値ばらつき制御
- 選択成長層からの固相拡散による浅接合トランジスタ
- Ku帯オンチップマッチシリコンMOSFET MMIC
- 2.4Gb/s CMOSクロックリカバリ機能付き1:8DMUX
- 2.4Gb/s CMOSクロックリカバリ機能付き1:8DMUX
- 2.4Gb/s CMOSクロックリカバリ機能付き1:8DMUX
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- C-3-56 アレイ駆動対応CMOS-IC/TEC内蔵ハイブリッド集積8ch SOAGアレイレセプタクルモジュール
- シリコン直接窒化+酸化法による2.5nmゲート絶縁膜形成とMOSFET特性
- 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
- 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
- Ku帯オンチップマッチシリコンMOSFET MMIC
- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
- サブ100nmCMOSロジック用1.5nmゲート酸窒化膜におけるノックオン酸素の影響
- DMA SRAM TEGにより解析したSRAMのスタティックノイズマージンにおけるDIBLばらつきの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)